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1. (WO2004032350) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR LIMITING AN OVERVOLTAGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/032350    International Application No.:    PCT/DE2003/003274
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 01.10.2003
IPC:
H04B 1/18 (2006.01), H04B 1/48 (2006.01)
Applicants: EPCOS AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
BLOCK, Christian [DE/AT]; (AT) (For US Only).
FLÜHR, Holger [DE/AT]; (AT) (For US Only).
PRZADKA, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RAGOSSNIG, Heinz [AT/AT]; (AT) (For US Only)
Inventors: BLOCK, Christian; (AT).
FLÜHR, Holger; (AT).
PRZADKA, Andreas; (DE).
RAGOSSNIG, Heinz; (AT)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734, 80007 München (DE)
Priority Data:
102 46 098.1 02.10.2002 DE
Title (DE) SCHALTUNGSORDNUNG ZUM BEGRENZEN EINER ÜBERSPANNUNG
(EN) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR LIMITING AN OVERVOLTAGE
(FR) CIRCUIT
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung mit einem Anschluß (1) für ein Hochfrequenzsignal, mit wenigstens zwei weiteren Signalleitungen (21a, 21b, 21c, 22a, 22b), mit einer Schalteinheit (3) zum Verbinden des Anschlusses (1) mit einer Signalleitung (21a, 21b, 21c, 22a, 22b), mit einer primären Schutzvorrichtung (41) gegen elektrostatische Entladungen, die zwischen den Anschluß (1) und die Schalteinheit (3) geschaltet ist, bei der die Schutzvorrichtung (41) ein erstes Spannungsbegrenzungselement (51) enthält, das Spannungsimpulse, die größer als eine Schaltspannung von 200 V sind, gegen ein Referenzpotential (7) ableitet. Durch die Verwendung einer Galliumarsenid-Doppeldiode kann der Vorteil einer geringen Einfügedämpfung verbunden mit einer niedrigen Schaltspannung erreicht werden.
(EN)The invention relates to a circuit arrangement comprising a terminal (1) for a high frequency signal, at least two additional signal lines (21a, 21b, 21c, 22a, 22b), a switching unit (3) for connecting the terminal (1) to a signal line (21a, 21b, 21c, 22a, 22b) and a primary protection device (41) against electrostatic discharges, which is connected between the terminal (1) and the switching unit (3). The protection device (41) comprises a first voltage limitation element (51), which diverts voltage pulses that exceed a switching voltage of 200 V towards a reference potential (7). The use of a gallium arsenide double diode permits a low insertion loss coupled with a low switching voltage to be achieved.
(FR)L'invention concerne un circuit comprenant un raccord (1) pour un signal haute fréquence, au moins deux lignes de signaux (21a, 21b, 21c, 22a, 22b) supplémentaires, une unité de commutation (3) servant à relier le raccord (1) à une ligne de signaux (21a, 21b, 21c, 22a, 22b), ainsi qu'un dispositif de protection (41) primaire contre les décharges électrostatiques monté entre le raccord (1) et l'unité de commutation (3). Le dispositif de protection (41) comprend un premier élément limiteur de tension (51) qui dévie les impulsions de tension supérieures à une tension de commutation de 200 V vers un potentiel de référence (7). L'utilisation d'une diode double à l'arséniure de gallium permet de bénéficier d'un affaiblissement d'insertion réduit, ainsi que d'une faible tension de commutation.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)