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1. (WO2004032247) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PRODUCTION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/032247    International Application No.:    PCT/DE2003/002954
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 05.09.2003
IPC:
H01L 33/20 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
EISERT, Dominik [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ILLEK, Stefan [AT/DE]; (DE) (For US Only).
SCHMID, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: EISERT, Dominik; (DE).
ILLEK, Stefan; (DE).
SCHMID, Wolfgang; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734, 80007 München (DE)
Priority Data:
102 45 631.3 30.09.2002 DE
Title (DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
(EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PRODUCTION METHOD
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
Abstract: front page image
(DE)Zur Verminderung bzw. Kompensation der thermischen Spannungen im Bauelement wird ein Halbleiterbauelement mit einer lichtemittierenden Halbleiterschicht oder einem lichtemittierenden Halbleiterelement, zwei Kontaktstellen und einem vertikal oder horizontal strukturierten Trägersubstrat, und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements entwickelt. Die thermischen Spannungen entstehen durch Temperaturwechsel während der Prozessierung und im Betrieb und aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiters und Trägersubstrats. Das Trägersubstrat wird so strukturiert, dass die thermischen Spannungen ausreichend vermindert bzw. kompensiert sind, dass das Bauelement nicht ausfällt.
(EN)The aim of the invention is to reduce or compensate thermal stress created within a semiconductor component. Said aim is achieved by a semiconductor component comprising a light-emitting semiconductor layer or a light-emitting semiconductor element, two contact points, and a vertically or horizontally structured carrier substrate, and a method for producing a semiconductor component. Thermal stress is created by changes in temperature during processing and operation as well as due to the different coefficients of expansion of the semiconductor and the carrier substrate. The inventive carrier substrate is structured in such a way that thermal stress is reduced or compensated to a degree that is sufficient for the component not to break down.
(FR)L'objectif de l'invention est réduire ou de compenser les contraintes thermiques dans un composant. A cet effet, un composant à semi-conducteur est pourvu d'une couche semi-conductrice électroluminescente ou d'un composant à semi-conducteur électroluminescent, de deux points de contact et d'un substrat support structuré verticalement ou horizontalement. L'invention concerne également un procédé de production d'un composant à semi-conducteur. Les contraintes thermiques sont dues à des variations de température pendant le processus de fabrication et au cours du fonctionnement et à des différences de coefficients de dilatation entre le composant à semi-conducteur et le substrat support. Ledit substrat support est structuré de sorte que les contraintes thermiques sont suffisamment diminuées ou compensées pour empêcher une défaillance du composant.
Designated States: CN, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)