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1. (WO2004032246) FINFET HAVING IMPROVED CARRIER MOBILITY AND METHOD OF ITS FORMATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/032246    International Application No.:    PCT/US2003/028660
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 12.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    09.02.2004    
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, P.O. Box 3453, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventors: LIN, Ming-Ren; (US).
GOO, Jung-Suk; (US).
WANG, Haihong; (US).
XIANG, Qi; (US)
Agent: DANIEL, R., Collopy; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
WRIGHT, Hugh, R.; Brookes Batchellor LLP, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Priority Data:
60/415,226 30.09.2002 US
10/335,474 31.12.2002 US
Title (EN) FINFET HAVING IMPROVED CARRIER MOBILITY AND METHOD OF ITS FORMATION
(FR) FINFET A MOBILITE DE PORTEUR DE CHARGE AMELIOREE, ET SON PROCEDE DE FORMATION
Abstract: front page image
(EN)A FinFET device employs strained silicon to enhance carrier mobility. In one method, a FinFET body (46) is patterned from a layer of silicon germanium (SiGe) (42) that overlies a dielectric layer (40). An epitaxial layer of silicon (34) is then formed on the silicon germanium FinFET body (46). A strain is induced in the epitaxial silicon as a result of the different dimensionalities of intrinsic silicon and of the silicon germanium crystal lattice that serves as the template on which the epitaxial silicon is grown. Strained silicon has an increased carrier mobility compared to relaxed silicon, and as a result the epitaxial strained silicon provides increased carrier mobility in the FinFET. A higher driving current can therefore be realized in a FinFET employing a strained silicon channel layer.
(FR)Un dispositif FinFET utilise du silicium contrainte en vue d'accroître la mobilité de porteur de charge. Selon un procédé, un corps FinFET (46) est configuré suivant des modèles à partir d'une couche de silicium germanium (SiGe) (42) recouvrant une couche diélectrique (46). Une contrainte est induite dans le silicium épitaxial, en raison de différentes dimensionnalités du silicium intrinsèque et du réseau cristallin silicium germanium servant de matrice sur laquelle s'effectue le tirage du silicium épitaxial. Le silicium contrainte possède une mobilité de porteur de charge accrue, comparativement au silicium exempt de tensions et il s'ensuit que le silicium contrainte épitaxial fournit une mobilité de porteur de charge accrue dans le FinFET. Un courant de commande plus élevé peut donc être obtenu dans un FinFET utilisant une couche canal en silicium contrainte.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)