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1. (WO2004032236) METHOD AND APPARATUS TO FABRICATE AN ON-CHIP DECOUPLING CAPACITOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/032236    International Application No.:    PCT/US2003/029768
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 19.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    09.04.2004    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: BLOCK, Bruce; (US).
THOMAS, Christopher; (US)
Agent: WISE, Roger, R.; Pillsbury Winthrop 725 South Figueroa Street Suite 2800 Los Angeles, CA 90017 (US)
Priority Data:
10/261,225 30.09.2002 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS TO FABRICATE AN ON-CHIP DECOUPLING CAPACITOR
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE FABRIQUER UN CONDENSATEUR DE DECOUPLAGE SUR PUCE
Abstract: front page image
(EN)A method of fabricating a decoupling capacitor includes depositing a first barrier metal on a conducting metal. The first barrier metal acts as a first electrode of the decoupling capacitor. A dielectric is deposited on the first barrier metal. A second barrier metal is deposited on the dielectric. The second barrier metal acts as a second electrode of the decoupling capacitor. A photoresist is exposed to ultraviolet light. The photoresist is applied on the second barrier metal. A mask is utilized to define an approximate shape of the decoupling capacitor. A portion of the second barrier metal is etched. A quantity of the photoresist is removed.
(FR)La présente invention concerne un procédé qui permet de fabriquer un condensateur de découplage, selon lequel on dépose un premier métal barrière sur un métal conducteur. Le premier métal barrière agit comme première électrode d'un condensateur de découplage. On dépose un diélectrique sur le premier métal barrière. On dépose un second métal barrière sur le diélectrique. Le second métal barrière agit comme seconde électrode du condensateur de découplage. On expose une photorésine à des rayons ultraviolets. On applique la photorésine sur le second métal barrière. On utilise un masque pour définir la forme approximative du condensateur de découplage. On grave une partie du second métal barrière. On enlève une partie de la photorésine.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)