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1. (WO2004032221) HARDMASK EMPLOYING MULTIPLE LAYERS OF SILICON OXYNITRIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/032221    International Application No.:    PCT/US2003/028452
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 10.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    09.02.2004    
IPC:
H01L 21/033 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventors: GAO, Pei-Yuan; (US).
YOU, Lu; (US).
HUANG, Richard, J.; (US)
Agent: COLLOPY, Daniel, R.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
WRIGHT, Hugh, R.; Brookes Batchellor LLP, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Priority Data:
10/256,368 27.09.2002 US
Title (EN) HARDMASK EMPLOYING MULTIPLE LAYERS OF SILICON OXYNITRIDE
(FR) MASQUE DUR UTILISANT DE MULTIPLES COUCHES D'OXYNITRURE DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A bi-layer BARC/hardmask structure includes a layer of amorphous carbon (18) and two or more distinct and independently formed layers of a PECVD material (20a, 20b) such as SiON formed on the amorphous carbon layer. By independently forming several layers of PECVD material, at least some pinholes (32, 34) that are present in the lowermost PECVD layer (20a) are closed by upper PECVD layers (20b) and therefore do not extend through all of the PECVD layers. As a result the upper surface of the uppermost PECVD layer (20b) has a lower pinhole density than the lower PECVD layer (20a). This reduces photoresist poisoning by dopant in the amorphous carbon layer (18), and etching of the amorphous carbon layer by photoresist stripping chemistry.
(FR)La présente invention a trait à une structure bicouche de couche de fond antireflet/masque dur comportant une couche de carbone amorphe (18) et d'au moins deux couches différentes et constituées indépendamment d'un matériau de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (20a, 20b) tel que l'oxynitrure de silicium formées sur la couche de carbone amorphe. Grâce à la formation indépendante de plusieurs couche de matériau de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma, au moins certains des trous d'épingle (32, 34) présents dans la couche la plus inférieure de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (20a) sont obturés par les couches supérieures de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (20b) et donc ne se prolongent pas à travers toutes les couches de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma. Par conséquent la surface supérieure de la couche la plus élevée de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (20b) présente une densité de trous d'épingles plus faible que la couche inférieure de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (20a). Cela réduit l'empoisonnement de la photorésine par dopant dans la couche de carbone amorphe (18) et l'attaque de la couche de carbone amorphe par décapage chimique de photorésine.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)