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1. (WO2004032209) METHOD OF ETCHING SHAPED FEATURES ON A SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/032209    International Application No.:    PCT/US2003/031167
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 30.09.2003
IPC:
H01L 21/3213 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450-A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: WEN, Jianping; (US).
SHEN, Meihua; (US).
HU, Hung-Kwei; (US)
Agent: BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 12400 Wilshire Boulevard, 7th floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
10/263,019 01.10.2002 US
Title (EN) METHOD OF ETCHING SHAPED FEATURES ON A SUBSTRATE
(FR) PROCEDE POUR GRAVER DES MOTIFS EN RELIEF SUR UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN)In a method of etching a substrate, a substrate is provided in a process zone, the substrate having a pattern of features comprising dielectric covering semiconductor. In a first stage, an energized first etching gas is provided in the process zone, the energized first etching gas having a first selectivity of etching dielectric to semiconductor of at least about 1.8:1, wherein the dielectric is etched preferentially to the semiconductor to etch through the dielectric to at least partially expose the semiconductor. In a second stage, an energized second etching gas is provided in the process zone, the energized second etching gas having a second selectivity of etching dielectric to semiconductor of less than about 1:1.8, wherein the semiconductor is etched preferentially to the dielectric.
(FR)L'invention concerne un procédé pour graver un substrat, selon lequel le substrat est disposé dans une zone de traitement, ce substrat étant doté de motifs comprenant un diélectrique, une couverture, un semi-conducteur. Selon l'invention, dans une première étape, un premier gaz de gravure énergétisé se trouve dans la zone de traitement, ce gaz ayant une première sélectivité de gravure du diélectrique au semi-conducteur d'au moins environ 1.8:1, le diélectrique étant de préférence traversé jusqu'au semi-conducteur pour mettre ce denier au moins partiellement à nu. Dans une deuxième étape, un deuxième gaz de gravure énergétisé se trouve dans la zone de traitement, ce gaz ayant une deuxième sélectivité de gravure du diélectrique au semi-conducteur inférieure à 1:1.8 environ, la gravure se faisant de préférence du semi-conducteur au diélectrique.
Designated States: CN.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)