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1. (WO2004032204) METHOD OF MAKING AN INTEGRATED CIRCUIT USING A PHOTOMASK HAVING A DUAL ANTIREFLECTIVE COATING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/032204    International Application No.:    PCT/US2003/022849
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 22.07.2003
IPC:
G03F 1/08 (2006.01), G03F 1/14 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US)
Inventors: WU, Wei, E.; (US).
POSTNIKOV, Sergei, V.; (US)
Agent: WUAMETT, Jennifer, B.; Freescale Semiconductor, Inc., 7700 West Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729-8084 (US)
Priority Data:
10/260,318 30.09.2002 US
Title (EN) METHOD OF MAKING AN INTEGRATED CIRCUIT USING A PHOTOMASK HAVING A DUAL ANTIREFLECTIVE COATING
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE CIRCUIT INTEGRE AU MOYEN D'UN PHOTOMASQUE A DOUBLE REVETEMENT ANTIREFLECTEUR
Abstract: front page image
(EN)A wafer (18) is made using a mask (14) that has a quartz substrate (15) and a patterned stack (32) for providing a mask pattern. The patterned stack comprises an opaque layer (36) between two ARC layers (34, 38). The patterned stack reduces flare, which in turn improves critical dimension (CD) control. The stack reduces the reflections that come from the interface between the opaque layer (36) and quartz substrate (15). This stack also absorbs the reflections that come back from the direction of the wafer. The opaque layer (36) is silicon, which is opaque at wavelengths below 300 nanometers, and the ARC layers are non-stoichiometric silicon nitride.
(FR)L'invention concerne une plaquette (18) produite au moyen d'un masque (14) comprenant un substrat en quartz (15) et une pile à motif (32) destinée à fournir un motif de masque. Ladite pile à motif comprend une couche opaque (36) disposée entre deux couches de revêtement antiréflecteur (ARC) (34, 38). Elle permet de réduire la lumière parasite qui à son tour améliore une commande de dimension critique (CD). Elle permet de réduire les réflexions provenant de l'interface entre la couche opaque (36) et le substrat en quartz (15). Elle absorbe également les réflexions renvoyées depuis la plaquette. La couche opaque (36) est constituée de silicium opaque à des longueurs d'onde inférieures à 300 manomètres, et les couches ARC sont constituées de nitrure de silicium non stoichiométrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)