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1. (WO2004032188) PACKAGED RF POWER TRANSISTOR HAVING RF BYPASSING/OUTPUT MATCHING NETWORK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/032188    International Application No.:    PCT/US2003/029719
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 17.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    31.03.2004    
IPC:
H01L 23/66 (2006.01), H03F 1/56 (2006.01)
Applicants: CREE MICROWAVE, INC. [US/US]; 160 Gibraltar Court, Sunnyvale, CA 94089 (US)
Inventors: CRESCENZI, JR., Emil, James; (US)
Agent: WOODWARD, Henry, K.; Beyer Weaver & Thomas, LLP, P.O. Box 70250, Oakland, CA 94612-0250 (US)
Priority Data:
10/262,217 30.09.2002 US
Title (EN) PACKAGED RF POWER TRANSISTOR HAVING RF BYPASSING/OUTPUT MATCHING NETWORK
(FR) TRANSISTOR DE PUISSANCE HAUTE FREQUENCE SOUS BOITIER DOTE D'UN RESEAU D'ADAPTATION DE SORTIE/DERIVATION HAUTE FREQUENCE
Abstract: front page image
(EN)The linearity of a wideband RF power transistor amplifier is improved by including output matching circuit and an integrated bias/RF diplexer with RF and video bypassing capacitor network within the transistor package and connected directly to the transistor. By placing the RF and video bypass power supply circuitry within the package and close to the transistor, the input impedance resonance can be increased from approximately 50 MHz to over 125 MHz, thereby reducing AM/PM distortion in the output signal.
(FR)La linéarité d'un amplificateur transistor large bande de puissance haute fréquence peut être améliorée par introduction d'un circuit d'adaptation de sorties et d'un diplexeur de polarisation/haute fréquence intégré doté d'un réseau de condensateurs de dérivation vidéo et haute fréquence dans le boîtier de transistor et relié directement au transistor. Par l'installation du circuit d'alimentation en puissance de dérivation haute fréquence et vidéo à l'intérieur du boîtier et à proximité du transistor, la résonance de l'impédance d'entrée peut être augmentée d'environ 50 MHz à plus de 125 MHz, ce qui permet de réduire la distorsion AM/PM dans le signal de sortie.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)