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1. (WO2004032182) METHOD FOR MAKING A WIRE NANOSTRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/032182    International Application No.:    PCT/FR2003/050072
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 02.10.2003
Chapter 2 Demand Filed:    23.04.2004    
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01), H01L 21/326 (2006.01), H01L 23/525 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31/33 rue de la Fédération, F-75752 Paris 15ème (FR) (For All Designated States Except US).
FRABOULET, David [FR/FR]; (FR) (For US Only).
GAUTIER, Jacques [FR/FR]; (FR) (For US Only).
TONNEAU, Didier [FR/FR]; (FR) (For US Only).
CLEMENT, Nicolas [FR/FR]; (FR) (For US Only).
BOUCHIAT, Vincent [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: FRABOULET, David; (FR).
GAUTIER, Jacques; (FR).
TONNEAU, Didier; (FR).
CLEMENT, Nicolas; (FR).
BOUCHIAT, Vincent; (FR)
Agent: LEHU, Jean; c/o Brevatome, 3, rue du Docteur Lancereaux, F-75008 Paris (FR)
Priority Data:
02/12235 03.10.2002 FR
Title (EN) METHOD FOR MAKING A WIRE NANOSTRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR FILM
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE NANO-STRUCTURE FILAIRE DANS UN FILM SEMI-CONDUCTEUR.
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a method for making a wire nanostructure, comprising the following steps: making a semiconductor film (1) extending between a first terminal (4) and a second terminal (5), and passing a current between the first and second terminals so as to form at least one continuous processing allowance (R1, R2, R3) in the semiconductive thin film, by migration, under the action of the current, a fraction of semiconducting material, the continuous processing allowance being formed along the direction of the current which flows through the film. The invention is applicable to designing nanocircuits.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de nano-structure filaire. Le procédé comprend les étapes suivantes fabrication d'un film mince semi-conducteur (1) s'étendant entre une première borne (4) et une deuxième borne (5), et passage d'un courant entre la première et la deuxième borne de façon à former au moins une surépaisseur continue (R1, R2, R3) dans le film mince semi-conducteur, par migration, sous l'action du courant, d'une fraction du matériau semi­conducteur, la surépaisseur continue se formant selon la direction du courant qui parcourt le film. L'invention s'applique à la conception de nano­ circuits.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)