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1. (WO2004032157) SUPPRESSION OF THERMAL NOISE USING SPIN TRANSFER IN MAGNETORESISTIVE ELEMENTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/032157    International Application No.:    PCT/US2003/029913
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 25.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    22.04.2004    
IPC:
H01F 10/32 (2006.01)
Applicants: SEAGATE TECHNOLOGY LLC [US/US]; 920 Disc Drive, Scotts Valley, CA 95066 (US)
Inventors: COVINGTON, Mark, W.; (US)
Agent: BORDAS, Carol, I.; Seagate Technology LLC, 1251 Waterfront Place, Pittsburgh, PA 15222 (US)
Priority Data:
60/414,844 30.09.2002 US
Title (EN) SUPPRESSION OF THERMAL NOISE USING SPIN TRANSFER IN MAGNETORESISTIVE ELEMENTS
(FR) SUPPRESSION DU BRUIT THERMIQUE AU MOYEN D'UN TRANSFERT DE SPIN DANS DES ELEMENTS MAGNETORESISTANTS
Abstract: front page image
(EN)A system and method of reducing noise due to thermally activated spin waves in a magnetoresistive (MR) element 30 is disclosed. The MR element 30 includes a free layer 32, a reference layer 36, and a spacer layer 34, the spacer layer 34 being positioned between the free layer 32 and the reference layer 36. To reduce noise, a magnetization of the reference layer 36 is pinned in a fixed direction. A spin polarized current perpendicular to a plane of the free layer 32, reference layer 36, and spacer layer 34 is subsequently produced such that the current exerts a spin momentum transfer torque on localized electron spins to reduce noise due to thermally activated spin waves. The spin momentum transfer torque opposes the intrinsic damping of the free layer 32, thereby reducing noise in the MR element 30.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé permettant de réduire du bruit engendré par des ondes de spin activées thermiquement dans un élément magnétorésistant (MR) (30). L'élément MR (30) comprend une couche libre (32), une couche de référence (36) et une couche d'espacement (34), celle-ci (34) étant positionnée entre la couche libre (32) et la couche de référence (36). Afin de réduire le bruit, une magnétisation de la couche de référence (36) est goupillée dans une direction fixe. Un courant polarisé en spin perpendiculaire à un plan de la couche libre (32), de la couche de référence (36) et de la couche d'espacement (34) est ensuite produit de manière que le courant exerce un couple de transfert de moment de spin sur des spins d'électrons localisés, aux fins de réduction du bruit engendré par des ondes de spin activées thermiquement. Le couple de transfert de moment de spin oppose l'insonorisation intrinsèque de la couche libre (32), réduisant ainsi le bruit dans l'élément MR (30).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)