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1. (WO2004032034) FINGERPRINT SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/032034    International Application No.:    PCT/DE2003/003056
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 15.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    29.04.2004    
IPC:
G06K 9/00 (2006.01), G06K 9/78 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
LORCH, Henning [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: LORCH, Henning; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734, 80007 München (DE)
Priority Data:
102 45 627.5 30.09.2002 DE
Title (DE) FINGERABDRUCKSENSOR
(EN) FINGERPRINT SENSOR
(FR) CAPTEUR D'EMPREINTES DIGITALES
Abstract: front page image
(DE)An der Oberseite eines Halbleiterchips (1) mit einem Fingerabdrucksensor befinden sich zwischen den Sensorelektroden (3), die die einzelnen Bildpunkte (Pixel) aufnehmen, und dem Substrat Speicherzellen (5) als integrierte Bauelemente entsprechend einem herkömmlichen Halbleiterspeicherchip. Eine Verdrahtungsebene (6) befindet sich zwischen den Sensorelektroden (3) und den Speicherzellen (5). Die Sensorelektroden können als oberste Verdrahtungsebene ausgebildet sein.
(EN)The invention relates to a semiconductor chip (1) comprising a fingerprint sensor. The upper face of said chip contains memory cells (5) between the sensor electrodes (3), which record the individual pixels, and the substrate, said cells constituting components that are integrated in a manner corresponding to a convention semiconductor chip. A wiring plane (6) lies between the sensor electrodes (3) and the memory cells (5). The sensor electrodes can constitute the uppermost wiring plane.
(FR)L'invention concerne un capteur d'empreintes digitales intégré dans une puce semi-conductrice (1), laquelle présente sur sa face supérieure, entre les électrodes sensibles (3) qui reçoivent les points d'image (pixels) individuels et le substrat, des cellules de mémoire (5) se présentant sous la forme de composants intégrés conformément à une puce mémoire semi-conductrice classique. Un niveau de câblage (6) se trouve entre les électrodes sensibles (3) et les cellules de mémoire (5). Les électrodes sensibles peuvent constituer le niveau de câblage supérieur.
Designated States: BR, CA, CN, IL, IN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)