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1. (WO2004031441) DEVICE FOR CARRYING OUT A PLASMA-ASSISTED PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/031441    International Application No.:    PCT/CH2003/000610
Publication Date: 15.04.2004 International Filing Date: 09.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    29.03.2004    
IPC:
C23C 16/509 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: TETRA LAVAL HOLDINGS & FINANCE S.A. [CH/CH]; 70, avenue Général Guisan, CH-1009 Pully (CH) (For All Designated States Except US).
FAYET, Pierre [CH/CH]; (CH) (For US Only).
JACCOUD, Bertrand [CH/CH]; (CH) (For US Only)
Inventors: FAYET, Pierre; (CH).
JACCOUD, Bertrand; (CH)
Agent: FREI PATENTANWALTSBÜRO AG; Postfach 1771, CH-8032 Zürich (CH)
Priority Data:
1653/02 03.10.2002 CH
Title (DE) VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG EINES PLASMA-UNTERSTÜTZTEN PROZESSES
(EN) DEVICE FOR CARRYING OUT A PLASMA-ASSISTED PROCESS
(FR) DISPOSITIF POUR REALISER UN PROCESSUS RENFORCE AU PLASMA
Abstract: front page image
(DE)Eine Vorrichtung zur Durchführung eines Plasma-unterstützten Prozesses, insbeson­dere einer Plasma-unterstützten, chemischen Abscheidung aus der Gasphase weist in einer Vakuumkammer mindestens eine Magnetron-Elektrode auf, die vom unausgeglichenen Typus ist und eine flache Magnetron-Front (20) mit peripheren und zen­tralen Magnetpolen entgegengesetzter Polarität aufweist und die an eine Quelle (34) einer Wechselspannung angeschlossen ist. Die Vorrichtung weist ferner ein Positio­niermittel auf, mit dessen Hilfe ein Substrates (25) mit einer zu behandelnden Ober­fläche gegen die Magnetron-Front gewandt positioniert wird, sowie ein Gaszufüh­rungsmittel zur Zuführung eines Prozessgases oder einer Prozessgasmischung in den Zwischenraum zwischen der Magnetron-Front (20) und der zu behandelnden Ober­fläche. Um ein Optimum an Prozess-Effizienz (z.B. Abscheidungsgeschwindigkeit) zu erreichen, wird der Abstand zwischen der Magnetron-Front (20) und der zu be­handelnden Oberfläche an das durch die Magnetron-Elektrode (32) erzeugte Magnetfeld angepasst, derart, dass sich zwischen dunkleren, durch sich von peripheren zu zentralen Polen der Magnetron-Front erstreckenden Feldlinien gebildeten Tunnels und der zu behandelnden Oberfläche ein heller Plasmastreifen erstreckt, wobei der Plasmastreifen eine minimale Breite aufweist aber gegen die zu behandelnde Ober­fläche eine homogene Helligkeit hat. Der Abstand zwischen der zu behandelnden Oberfläche und der Magnetron-Front ist vorteilhafterweise zwischen 2 und 20% grö­sser als die Höhe der Tunnels. Die Vorrichtung ist anwendbar beispielsweise für die Beschichtung eines Kunststofffilmes mit Siliziumoxyd zur Verbesserung der Barriereeigenschaften des Filmes.
(EN)Disclosed is a device for carrying out a plasma-assisted process, particularly plasma-assisted, chemical deposition from the gas phase. Said device comprises at least one unbalanced magnetron electrode which is disposed inside a vacuum chamber, is provided with a flat magnetron front (20) with peripheral and central magnet poles having opposite polarity, and is connected to a source (34) of AC voltage. Said device also comprises means for positioning a surface of a substrate (25), which is to be treated, so as to face the magnetron front, and a gas-feeding means for delivering a process gas or a process gas mixture into the intermediate space between the magnetron front (20) and the surface that is to be treated. In order to optimize the efficiency of the process (e.g. deposition rate), the distance between the magnetron front (20) and the surface that is to be treated is adapted to the magnetic field generated by the magnetron electrode (32) such that a bright plasma strip extends between darker tunnels which are formed by the lines of force extending from peripheral to central poles of the magnetron front and the surface that is to be treated. Said plasma strip has a minimal width while having a homogeneous brightness towards the surface that is to be treated. Preferably, the distance between the surface that is to be treated and the magnetron front is 2 to 20 percent greater than the height of the tunnel. The inventive device can be used for coating a plastic film with silicon oxide in order to improve the barrier properties of said film, for example.
(FR)L'invention concerne un dispositif de réalisation d'un processus renforcé au plasma, en particulier une déposition chimique, renforcée au plasma en phase gazeuse, présentant une électrode du magnétron dans une chambre à vide qui est de type non compensatoire, et présente une partie avant du magnétron (20) à pôles magnétiques périphériques et centraux à polarité opposée et qui est reliée à une source (34) de tension variable. Ledit dispositif présente, de plus, un moyen de positionnement, à l'aide duquel un substrat (25) peut être positionné au moyen d'une surface à traiter tournée vers la partie avant du magnétron, ainsi qu'un moyen d'écoulement du gaz destiné à diriger un gaz de traitement ou un mélange de gaz de traitement dans la chambre intermédiaire située entre la partie avant du magnétron (20) et la surface à traiter. L'objectif de l'invention est d'obtenir une efficacité de processus optimum (par exemple la vitesse de déposition). A cet effet, la distance entre la partie avant du magnétron (20) et la surface à traiter est adaptée au champ magnétique produit par l'électrode du magnétron (32), de sorte qu'une bande de plasma se dilue entre les tunnels foncés, qui forment de lignes de champ diluables entre les pôles périphériques et centraux de la partie avant du magnétron, et la surface à traiter. Ladite bande de plasma présente une largeur minimale, mais la surface à traiter présente une luminosité claire. La distance entre la surface à traiter et la partie avant du magnétron est, de manière avantageuse plus grande, comprise entre 2 et 20 %, que la hauteur du tunnel. Ledit dispositif peut être utilisé par exemple pour le revêtement d'un film plastique avec de l'oxyde de silicium, ce qui permet d'améliorer les propriétés de barrière du film.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)