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1. (WO2004030208) FABRICATION OF FILM BULK ACOUSTIC RESONATORS ON SILICON <110> WAFERS USING CRYSTAL-ORIENTATION-DEPENDENT ANISOTROPIC ETCHING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/030208    International Application No.:    PCT/US2003/029532
Publication Date: 08.04.2004 International Filing Date: 17.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    09.04.2004    
IPC:
H03H 3/02 (2006.01), H03H 9/17 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: WANG, Li-Peng; (US).
MA, Qing; (US).
YANKOVICH, Israel; (IL).
BUTLER, Richard; (US)
Agent: STEFFEY, Charles, E.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth, P.A., P.O. Box 2938, Minneapolis, MN 55402 (US)
Priority Data:
10/254,402 25.09.2002 US
Title (EN) FABRICATION OF FILM BULK ACOUSTIC RESONATORS ON SILICON <110> WAFERS USING CRYSTAL-ORIENTATION-DEPENDENT ANISOTROPIC ETCHING
(FR) FABRICATION DE RESONATEURS ACOUSTIQUES A ONDES DE VOLUME PELLICULAIRES SUR DES PLAQUETTES DE SILICIUM, FAISANT APPEL A UNE ATTAQUE ANISOTROPIQUE DEPENDANT D'UNE ORIENTATION CRISTALLINE
Abstract: front page image
(EN)A film bulk acoustic resonator formed on a substrate (710) includes a layer of piezoelectric material (735) having a first major surface, and a second major surface sandwiched between a first conductive (732) and a second conductive layer (736). The substrate on which the film bulk acoustic resonator is formed has an opening (750) therein which exposes the first conductive layer (732) of the film bulk acoustic resonator. The opening (750) is substantially in the shape of a parallelogram having a first pair of parallel sides (751, 752) and a second pair of parallel sides. One of the first pair of parallel sides makes an angle at other than 90 degrees with one of the second pair of parallel sides.
(FR)L'invention concerne un résonateur acoustique à ondes de volume pelliculaire constitué d'un substrat comprenant une couche de matière piézo-électrique présentant une première surface principale, et une seconde surface principale prise en sandwich entre une première couche conductrice et une second couche conductrice. Le substrat sur lequel le résonateur acoustique à ondes de volume pelliculaire est formé présente une ouverture permettant une exposition de la première couche conductrice du résonateur acoustique à ondes de volume pelliculaire. Cette ouverture présente sensiblement la forme d'un parallélogramme présentant une première paire de côtés parallèles et une seconde paire de côtés parallèles. La première paire de côtés parallèles forme un angle différent de 90 degrés avec l'autre paire de côtés parallèles.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)