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1. (WO2004030092) SEMICONDUCTOR CHIP ON WHICH CONDUCTOR TRACKS ON A (1,0,0) CRYSTAL PLANE FORM AN ANGLE OF AT LEAST TEN DEGREES WITH THE (0,1,0) AND (0,0,1) CRYSTAL PLANES IN ORDER TO INCREASE THE FRACTURE RESISTANCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/030092    International Application No.:    PCT/DE2003/003057
Publication Date: 08.04.2004 International Filing Date: 15.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    20.04.2004    
IPC:
H01L 23/498 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
HÜBNER, Holger [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HÜBNER, Holger; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734, 80007 München (DE)
Priority Data:
102 44 446.3 24.09.2002 DE
Title (DE) HALBLEITERCHIP, WOBEI LEITERBAHNEN AUF EINER (1,0,0) KRISTALLEBENE EINEN WINKEL VON MINDESTENS ZEHN GRAD MIT DEN (0,1,0) UND (0,0,1) KRISTALLEBENEN BILDEN, UM DIE BRUCHSICHERHEIT ZU ERHÖHEN
(EN) SEMICONDUCTOR CHIP ON WHICH CONDUCTOR TRACKS ON A (1,0,0) CRYSTAL PLANE FORM AN ANGLE OF AT LEAST TEN DEGREES WITH THE (0,1,0) AND (0,0,1) CRYSTAL PLANES IN ORDER TO INCREASE THE FRACTURE RESISTANCE
(FR) PUCES A SEMICONDUCTEUR DANS LAQUELLE DES PISTES CONDUCTRICES SUR UN PLAN CRISTALLIN (1,0,0) FORMENT UN ANGLE D'AU MOINS 10 DEGRES AVEC LES PLANS CRISTALLINS (0,1,0) ET (0,0,1), DE FAÇON A AUGMENTER LA RESISTANCE A LA RUPTURE
Abstract: front page image
(DE)Zur Anwendung in Chipkarten gedünnte Halbleiterchips (1) oder Halbleiterchipstapel besitzen Anordnungen der Richtungen (A, B) von Abschnitten der Leiterbahnen (2) auf einer (1,0,0)-Oberseite, die mit den {0,1,0}-Ebenen und den {0,0,1}-Ebenen des Siliziumkristalls Winkel (6, 7) von mindestens 10° einschließen, um die Bruchsicherheit zu erhöhen.
(EN)Thinned semiconductor chips (1) or semiconductor chip stacks, for application in chipcards, have arrangements of sections of conductor tracks (2) in the (A, B) directions on an (1,0,0) upper surface, which include an angle (6, 7) of at least 10° with the {0,1,0} planes and the {0,0,1} planes of the silicon crystal to increase fracture resistance.
(FR)Selon la présente invention, des puces à semiconducteur (1) ou piles de puces à semiconducteur amincies, destinées à être utilisées dans des cartes à puce, présentent des sections de pistes conductrices (2) agencées dans les sens (A, B) sur une face supérieure (1,0,0) et formant des angles (6, 7) d'au moins 10° avec les plans {0,1,0}- et {0,0,1}- du cristal de silicium, de façon à augmenter la résistance à la rupture.
Designated States: BR, CA, CN, IL, IN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)