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1. (WO2004030069) METHOD OF PATTERNING CAPACITORS AND CAPACITORS MADE THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/030069    International Application No.:    PCT/SG2003/000220
Publication Date: 08.04.2004 International Filing Date: 17.09.2003
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/SG]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 Munich (DE)
Inventors: LIAN, Jenny; (US).
ZHUANG, Haoren; (DE).
EGGER, Ulrich; (DE).
HORNIK, Karl; (US)
Agent: WATKIN, Timothy, Lawrence, Harvey; Lloyd Wise, Tanjong Pagar, P.O. Box 636, Singapore 910816 (SG)
Priority Data:
10/260,229 27.09.2002 US
Title (EN) METHOD OF PATTERNING CAPACITORS AND CAPACITORS MADE THEREBY
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE MOTIFS SUR DES CONDENSATEURS ET CONDENSATEURS OBTENUS SELON LEDIT PROCEDE
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a ferroelectric capacitor, in particular for use in a FeRAM or high-k DRAM application, and a capacitor made by the method. The method comprises forming a first layer which is patterned, for example by a reactive ion etching method. A ferroelectric material is then formed over the patterned first layer. The morphology of the ferroelectric material will be dependent upon the patterning of the first layer. The ferroelectric layer is then patterned, for example using a wet etching or a reactive ion etching method. The etching will depend upon the morphology of the ferroelectric layer. After etching the ferroelectric layer, a conductive layer is provided over the ferroelectric layer to form a first electrode of the capacitor. If the first layer is a conductive layer, this forms the second electrode. If the first layer is a non-conductive layer,. the conductive layer is patterned to form both the first and second electrodes.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un condensateur ferroélectrique, notamment destiné à être utilisé dans une application de FeRAM ou de DRAM à constante k élevée, et un condensateur fabriqué selon ledit procédé. Ledit procédé consiste à former une première couche qui présente des motifs, par exemple par un procédé de gravure ionique réactive. Un matériau ferroélectrique est ensuite formé sur la première couche présentant des motifs. La morphologie du matériau ferroélectrique dépend de la formation de motifs sur la première couche. On forme ensuite des motifs sur la couche ferroélectrique, par exemple à l'aide d'un procédé de gravure ionique réactive ou de gravure humide. La gravure dépend de la morphologie de la couche ferroélectrique. Après gravure de la couche ferroélectrique, une couche conductrice est déposée sur la couche ferroélectrique afin de former une première électrode du condensateur. Si la première couche est une couche conductrice, elle forme la seconde électrode. Si la première couche est une couche non conductrice, on forme des motifs sur la couche conductrice afin de former les première et seconde électrodes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)