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1. (WO2004030057) GLASS-TYPE PLANAR SUBSTRATE, USE THEREOF, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/030057    International Application No.:    PCT/EP2003/009328
Publication Date: 08.04.2004 International Filing Date: 22.08.2003
Chapter 2 Demand Filed:    06.04.2004    
IPC:
B81C 1/00 (2006.01), C03B 19/02 (2006.01), C03B 23/02 (2006.01)
Applicants: FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG e. V. [DE/DE]; Hansastr. 27c, 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
QUENZER, Hans-Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHULZ, Arne, Veit [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MERZ, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: QUENZER, Hans-Joachim; (DE).
SCHULZ, Arne, Veit; (DE).
MERZ, Peter; (DE)
Agent: RÖSLER, Uwe; Landsberger Strasse 480a, 81241 München (DE)
Priority Data:
102 41 390.8 06.09.2002 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINES AUS GLASARTIGEM MATERIAL BESTEHENDEN FLÄCHENSUBSTRATS
(EN) GLASS-TYPE PLANAR SUBSTRATE, USE THEREOF, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) SUBSTRAT PLAT COMPOSE D'UN MATERIAU VITREUX, UTILISATION ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abstract: front page image
(DE)Beschrieben wird ein Verfahren zur Strukturierung eines aus glasartigen Material bestehenden Flächensubstrats. Das erfindungsgemässe Verfahren zeichnet sich durch die Kombination der folgenden Verfahrensschritte aus: - Bereitstellen eines aus einem Halbleitermaterial bestehenden Halbleiter Flächensubstrats, - Dickenreduzieren des Halbleiter-Flächensubstrats innerhalb wenigstens eines Oberflächenbereiches des Halbleiter-Flächensubstrates zur Ausbildung eines gegenüber des dickenreduzierten Oberflächenflächenbereiches erhabenen Oberflächenbereiches, - Strukturieren des erhabenen Oberflächenbereiches des Halbleiter Flächensubstrats mittels lokalen mechanischem Materialabtrag, zum Einbringen von Vertiefungen innerhalb des erhabenen Oberflächenbereiches,.- Verbinden der strukturierten Oberfläche des Halbleiter-Flächensubstrats mit dem glasartigen Flächensubstrat derart, dass das glasartige Flächensubstrat zumindest teilweise den dickenreduzierten Oberflächenflächenbereich überdeckt, - Tempern der verbundenen Flächensubstrate derart, dass in einer ersten Temperphase, die unter Unterdruckbedingungen durchgeführt wird, das den dickenreduzierten Oberflächenbereich überdeckende glasartige Flächensubstrat mit dem dickenreduzierten Oberflächenbereich eine fluiddichte Verbindung eingeht, wobei das Flächensubstrat die Vertiefungen unter Unterdruckbedingungen fluiddicht überdeckt, und dass in einer zweiten Temperphase ein Hineinfliessen wenigstens von Teilbereichen des glasartigen Materials in die Vertiefungen der strukturierten Oberfläche des HalbleiterFlächensubstrats erfolgt.
(EN)Disclosed is a method for structuring a planar substrate made of a glass-type material, which is characterized by the following steps: - the thickness of the planar semiconductor substrate is reduced within at least one surface area thereof so as to obtain a surface area that is raised relative to the surface areas having a reduced thickness; - the raised surface area of the planar semiconductor substrate is structured by locally removing material in a mechanical manner so as to introduce recesses within the raised surface area; - the structured surface of the planar semiconductor substrate is connected to the glass-type planar substrate such that the glass-type planar substrate at least partly covers the surface area having a reduced thickness; - the connected planar substrates are heated up such that the glass-type planar substrate which covers the surface area having a reduced thickness forms a fluid-tight connection along with the surface area having a reduced thickness in a first heating phase which is carried out at negative pressure conditions, the planar substrate covering the recesses in a fluid-tight manner at negative pressure conditions, whereupon at least some areas of the glass-type material flow into the recesses of the structured surface of the planar semiconductor substrate in a second heating phase. Also disclosed are a glass-type planar substrate and the use thereof.
(FR)L'invention concerne un procédé de structuration d'un substrat plat composé d'un matériau vitreux, caractérisé en ce qu'il consiste à réduire l'épaisseur dudit substrat plat sur au moins une zone de surface afin de créer une zone surélevée par rapport à la zone d'épaisseur réduite ; à structurer la zone surélevée par enlèvement de matériau mécanique local afin de créer des cavités dans ladite zone surélevée ; à relier la surface structurée du substrat au substrat vitreux de manière que le substrat vitreux recouvre au moins partiellement la zone d'épaisseur réduite ; et, à tremper les substrats plats reliés de manière que, dans une première phase de trempage réalisée dans des conditions de dépression, le substrat plat vitreux recouvrant la zone d'épaisseur réduite entre en liaison étanche aux fluides avec ladite zone d'épaisseur réduite, ledit substrat plat recouvrant de façon étanche aux fluides les cavités dans des conditions de dépression, et que, dans une deuxième phase de trempage, au moins une partie du matériaux vitreux s'écoule dans les cavités de la surface structurée du substrat plat. L'invention concerne également un substrat plat composé d'un matériau vitreux ainsi que son utilisation.
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)