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1. (WO2004030049) A METHOD AND SYSTEM FOR ETCHING HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/030049    International Application No.:    PCT/US2003/029978
Publication Date: 08.04.2004 International Filing Date: 25.09.2003
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107, Tokyo (JP) (For All Designated States Except US).
CHEN, lee [US/US]; (US) (For US Only).
LUDVIKSSON, Audunn [IS/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHEN, lee; (US).
LUDVIKSSON, Audunn; (US)
Agent: LAZAR, Dale, S.; Pillsbury Winthrop LLP, P.O. Box 10500, McLean, VA 22102 (US)
Priority Data:
60/413,907 27.09.2002 US
60/413,778 27.09.2002 US
60/413,893 27.09.2002 US
Title (EN) A METHOD AND SYSTEM FOR ETCHING HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS
(FR) PROCEDE ET SYSTEME DE GRAVURE DE MATERIAUX DIELECTRIQUES A K ELEVE
Abstract: front page image
(EN)A system and a method to remove a layer of high-k dielectric material during the manufacturing of an integrated circuit. In one embodiment of the invention, an etch reactant is employed to form volatile etch products when reacted with high-k layers. Alternately, high-k layers can be anisotropically etched of in accordance with a patterned photoresist or hard mask, where a hyperthermal beam of neutral atoms is used to aid in the reaction of an etch reactant with a high-k layer. Alternately, a hyperthermal beam of neutral atoms or a plasma treatment can used to modify a high-k layer, and subsequently etch the modified high-k layer utilizing an etch reactant that reacts with the modified high-k layer. In still another embodiment of the invention, the hyperthermal beam of neutral atoms is used to etch a high-k layer through physical bombardment of the high-k layer.
(FR)La présente invention concerne un système et un procédé qui permettent d'enlever une couche de matériau à k élevé au cours de la fabrication d'un circuit intégré. Dans un mode de réalisation, on utilise un réactif de gravure pour former des produits de gravure volatils lorsqu'ils sont mis à réagir avec des couches à k élevé. Dans un autre mode de réalisation, on peut effectuer une gravure anisotrope des couches à k élevé conformément à un motif de photorésine ou de masque dur, en utilisant un faisceau hyperthermique d'atomes neutres pour faciliter la réaction d'un réactif de gravure avec une couche à k élevé. Dans encore un autre mode de réalisation, on peut utiliser un faisceau hyperthermique d'atomes neutres ou un traitement au plasma pour modifier une couche à k élevé, et graver ensuite la couche à k élevé modifiée à l'aide d'un réactif de gravure qui réagit avec la couche à k élevé modifiée. Dans un autre mode de réalisation, on utilise le faisceau hyperthermique d'atomes neutres pour graver une couche à k élevé par bombardement physique de cette dernière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)