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1. (WO2004029994) MULTILAYER SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/029994    International Application No.:    PCT/US2003/029224
Publication Date: 08.04.2004 International Filing Date: 15.09.2003
IPC:
H01L 21/48 (2006.01), H05K 1/16 (2006.01), H05K 3/04 (2006.01), H05K 3/40 (2006.01), H05K 3/46 (2006.01)
Applicants: MEDTRONIC MINIMED, INC. [US/US]; 18000 Devonshire Street, Northridge, CA 91325 (US)
Inventors: SHAH, Rajiv; (US).
PENDO, Shaun; (US).
BABIRICKI, Edward, B.; (US)
Agent: RITTMASTER, Ted, R.; Foley & Lardner, 35th Floor, 2029 Century Park East, Los Angeles, CA 90067-3021 (US)
Priority Data:
60/414,289 27.09.2002 US
10/331,186 26.12.2002 US
Title (EN) MULTILAYER SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT MULTICOUCHE
Abstract: front page image
(EN)A multilayer substrate device formed from a base substrate (12) and alternating metalization layers (14) and dielectric layers (16). Each layer is formed without firing. Vias (44) may extend through one of the dielectric layers (16) such that two metalization layers (14) surrounding the dielectric layers (16) make contact with each other. The vias (44) may be formed by placing pillars (40) on top of a metalization layer (14), forming a dielectric layer (16) on top of the metalization layer (14) and surrounding the pillars (40), and removing the pillars (40). Dielectric layers (16) may be followed by other dielectric layers (16) and metalization layers (14) may be followed by other metalization layers (14).
(FR)L'invention concerne un dispositif à substrat multicouche formé à partir d'un substrat de base ainsi que de couches de métallisation et de couches diélectriques alternées. Chaque couche est formée sans cuisson. Des trous de raccordement peuvent s'étendre à travers l'une des couches diélectriques de telle sorte que deux couches de métallisation entourant les couches diélectriques entrent en contact l'une avec l'autre. Ces trous de raccordement peuvent être formés par installation de colonnes par dessus une couche de métallisation, formation d'une couche diélectrique par dessus la couche de métallisation et autour des colonnes, puis retrait desdites colonnes. Les couches diélectriques peuvent être suivies d'autres couches diélectriques et les couches de métallisation peuvent être suivies d'autres couches de métallisation. Les trous de raccordement ménagés dans le substrat peuvent être remplis par constitution d'un montage autour du substrat, lequel montage comprend des feuilles d'impression contenant une encre conductrice et des plaques de pression conçues pour appliquer une pression. Un vide peut être appliqué de manière à retirer l'air contenu dans l'encre. Une pression peut ensuite être appliquée sur les feuilles d'impression par l'intermédiaire des plaques de pression. L'encre conductrice contenue dans les feuilles d'impression est poussée à travers les trous de raccordement lorsque la pression est appliquée par les plaques de pression.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)