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1. (WO2004029936) HIGH DENSITY RECORDING MEDIUM WITH SUPER-RESOLUTION NEAR-FIELD STRUCTURE MANUFACTURED USING HIGH-MELTING POINT METAL OXIDE OR SILICON OXIDE MASK LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/029936    International Application No.:    PCT/KR2003/001949
Publication Date: 08.04.2004 International Filing Date: 24.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    29.03.2004    
IPC:
G11B 7/24 (2006.01)
Applicants: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 442-742 (KR) (For All Designated States Except US).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 1-3-1, Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8921 (JP) (For All Designated States Except US).
KIM, Joo-Ho [KR/KR]; (KR) (For US Only).
TOMINAGA, Junji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KIM, Joo-Ho; (KR).
TOMINAGA, Junji; (JP)
Agent: LEE, Young-Pil; The Cheonghwa Building, 1571-18, Seocho-dong, Seocho-gu, 137-874 Seoul (KR)
Priority Data:
2002-281783 26.09.2002 JP
Title (EN) HIGH DENSITY RECORDING MEDIUM WITH SUPER-RESOLUTION NEAR-FIELD STRUCTURE MANUFACTURED USING HIGH-MELTING POINT METAL OXIDE OR SILICON OXIDE MASK LAYER
(FR) SUPPORT D'ENREGISTREMENT A DENSITE ELEVEE DOTE D'UNE STRUCTURE DE CHAMP PROCHE A SUPER-RESOLUTION FABRIQUEE AU MOYEN D'UNE COUCHE DE MASQUE D'OXYDE DE SILICIUM OU D'OXYDE METALLIQUE A POINT DE FUSION ELEVE
Abstract: front page image
(EN)A high density recording medium with a super-resolution near-field structure including a mask layer comprising high melting point metal oxide or silicon oxide is provided. More particularly, A high density recording medium with a super-resolution near-field structure including a sequential stack of a second dielectric layer, a recording layer, a protective layer, a mask layer, a first dielectric layer, and a polycarbonate layer, wherein the mask layer comprises high melting point metal oxide or silicon oxide to generate a near field by optically or thermally inducing physical changes in the crystalline structure and optical properties of the high melting point metal oxide or silicon oxide is provided.
(FR)L'invention concerne un support d'enregistrement à densité élevée doté d'une structure de champ proche à super-résolution comprenant une couche de masque qui renferme un oxyde de silicium ou un oxyde métallique à point de fusion élevé. Plus spécifiquement, cette invention a trait à un support d'enregistrement à densité élevé doté d'une structure de champ proche à super-résolution comprenant un empilement séquentiel d'une seconde couche diélectrique, d'une couche d'enregistrement, d'une couche protectrice, d'une couche de masque, d'une première couche diélectrique, et d'une couche en polycarbonate. Ladite couche de masque contient un oxyde de silicium ou un oxyde métallique à point de fusion élevé, de manière à engendrer un champ proche par induction optique ou thermique de modifications physiques dans la structure cristalline et de propriétés optiques de l'oxyde de silicium ou de l'oxyde métallique à point de fusion élevé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)