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1. (WO2004029719) 193NM RESIST
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/029719    International Application No.:    PCT/EP2003/010688
Publication Date: 08.04.2004 International Filing Date: 28.08.2003
Chapter 2 Demand Filed:    23.03.2004    
IPC:
G03F 7/039 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armond, NY 10504 (US) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
COMPAGNIE IBM FRANCE [FR/FR]; Tour Descartes - La Défense 5, 2, avenue Gambetta, F-92400 Courbevoie (FR) (MC only)
Inventors: KHOJASTEH, Mahmoud, M.; (US).
CHEN, Kuang-Jung; (US).
VARANASI, Pushkara, Rao; (US).
NISHIMURA, Yukio; (JP).
KOBAYASHI, Eiichi; (JP)
Agent: KLEIN, Daniel; Compagnie IBM France, Direction de la Propriété Intellectuelle, F-06610 La Gaude (FR)
Priority Data:
10/261,249 30.09.2002 US
Title (EN) 193NM RESIST
(FR) RESINE 193NM A PROPRIETES DE POST-EXPOSITION AMELIOREES
Abstract: front page image
(EN)Acid-catalyzed positive resist compositions which are imageable with 193nm radiation and/or possibly other radiation and are developable to form resist structures of improved development characteristics and improved etch resistance are enabled by the use of resist compositions containing imaging polymer component comprising an acid-sensitive polymer having a monomeric unit with a pendant group containing a remote acid labile moiety.
(FR)L'invention concerne des compositions de résine positives à catalyse acide pouvant être imagées à l'aide d'un rayonnement de 193nm et/ou éventuellement d'autres rayonnements, et qui peuvent être développées, de manière que soit formées des structures de résine à caractéristiques de développement améliorées. Une meilleure résistance à l'attaque peut être obtenue par l'utilisation de ces compositions de résine contenant un composant polymère d'imagerie comprenant un polymère sensible à l'acide renfermant une unité monomère avec un groupe pendant contenant plusieurs fragments labiles d'acide distants.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)