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Pub. No.:    WO/2004/029328    International Application No.:    PCT/JP2003/006499
Publication Date: 08.04.2004 International Filing Date: 23.05.2003
Chapter 2 Demand Filed:    03.10.2003    
C23C 18/28 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
MARUMO, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
JOMEN, Miho [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MARUMO, Yoshinori; (JP).
SATO, Hiroshi; (JP).
JOMEN, Miho; (JP)
Agent: SUYAMA, Saichi; Kanda Higashiyama Bldg., 1, Kandata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0046 (JP)
Priority Data:
2002-283297 27.09.2002 JP
(JA) 無電解メッキ方法
Abstract: front page image
(EN)A method of elctroless plating, which comprises forming catalytically active nuclei comprising a catalytically active material having a catalytic activity toward a reducing agent contained in an electroless plating solution on a diffusion inhibiting layer (such as a barrier layer), and then carrying out an electroleless plating using the electroless plating solution. The method allows the formation of an electrolessly plated coating on a barrier layer through the acceleration of the reaction of a reducing agent contained in an electroless plating solution by catalytically active nuclei.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt autocatalytique, qui consiste à former des noyaux actifs sur le plan catalytique comprenant un matériau actif sur le plan catalytique possédant une activité catalytique envers un agent de réduction contenu dans une solution de dépôt autocatalytique sur une couche d'inhibition de diffusion (telle qu'une couche barrière), puis à mettre en oeuvre le dépôt autocatalytique au moyen d'une solution de dépôt autocatalytique. Le procédé de l'invention permet également de former un revêtement déposé de façon autocatalytique sur une couche barrière par accélération de la réaction d'un agent réducteur contenu dans une solution de dépôt autocatalytique par des noyaux actifs sur le plan catalytique.
(JA) 無電解メッキ膜に含有される還元剤に対して触媒活性を有する触媒活性材料からなる触媒活性核を拡散制限層(例えば、バリア層)上に形成した後に、無電解メッキ液を用いて無電解メッキを行う。触媒活性核によって無電解メッキ膜に含有される還元剤の反応が促進され、バリア層上への無電解メッキ膜の形成を行うことができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)