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1. (WO2004028214) FABRICATION SYSTEM AND MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/028214    International Application No.:    PCT/JP2003/011983
Publication Date: 01.04.2004 International Filing Date: 19.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    16.04.2004    
IPC:
C23C 14/04 (2006.01), C23C 14/50 (2006.01), C23C 14/56 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0036 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUWABARA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MURAKAMI, Masakazu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
KUWABARA, Hideaki; (JP).
MURAKAMI, Masakazu; (JP)
Agent: OSHIMA, Yoichi; IP Building, 2-20, Kanda-Jimbocho, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0051 (JP)
Priority Data:
2002-276216 20.09.2002 JP
Title (EN) FABRICATION SYSTEM AND MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) SYSTEME DE FABRICATION ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a vapor deposition method and a vapor deposition system of film formation systems by which EL materials can be used more efficiently and EL materials having superior uniformity with high throughput rate are formed. According to the present invention, inside a film formation chamber, an evaporation source holder in a rectangular shape in which a plurality of containers sealingly contain evaporation materials is moved at a certain pitch to a substrate and the evaporation material is vapor deposited on the substrate. Further, a longitudinal direction of an evaporation source holder in a rectangular shape may be oblique to one side of a substrate, while the evaporation source holder is being moved. Furthermore, it is preferable that a movement direction of an evaporation source holder during vapor deposition be different from a scanning direction of a laser beam while a TFT is formed.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt par évaporation sous vide, et un système de formation de couches par évaporation sous vide, qui permet une meilleure exploitation des matériaux électroluminescents, et la formation de matériaux électroluminescent présentant une uniformité élevée avec une vitesse de production élevée. Le procédé décrit consiste à déplacer dans une chambre de dépôt de couche, à une distance prédéterminée d'un substrat, un support rectangulaire de source d'évaporation qui comprend une pluralité de réceptacles contenant des matériaux vaporisables, et à déposer le matériau vaporisable sur le substrat par évaporation sous vide. La direction longitudinale du support de la source d'évaporation rectangulaire peut former un angle avec un côté du substrat, pendant le mouvement du support de matériau d'évaporation. Lors de la formation d'un transistor à couches minces (TFT), il est préférable que pendant le dépôt par évaporation sous vide, la direction de déplacement du support de la source d'évaporation soit différente du mouvement de balayage du faisceau laser.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)