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1. (WO2004027865) SUPPORT STRUCTURES FOR WIREBOND REGIONS OF CONTACT PADS OVER LOW MODULUS MATERIALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

IA Considered Withdrawn 2004-07-29 00:00:00.0


Pub. No.:    WO/2004/027865    International Application No.:    PCT/EP2003/010401
Publication Date: 01.04.2004 International Filing Date: 18.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    20.04.2004    
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; ST.-MARTIN-STRASSE 53, 81669 MÜNCHEN (DE).
IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; NEW ORCHARD ROAD, ARMONK, NY 10504 (US)
Inventors: ANDERSON, David; (US).
BARTH, Hans-Joachim; (DE).
BURRELL, Lloyd, G.; (US).
CHAN, Joseph; (US).
CRABBE, Emmanuel, F.; (US).
KEMERER, Douglas, W.; (US).
NYE ILL, Henry, A.; (US)
Agent: BARTH, Stephan; REINHARD, SKUHRA, WEISE, & PARTNER GbR, FRIEDRICHSTRASSE 31, 80801 MÜNCHEN (DE)
Priority Data:
10/251,453 20.09.2002 US
Title (EN) SUPPORT STRUCTURES FOR WIREBOND REGIONS OF CONTACT PADS OVER LOW MODULUS MATERIALS
(FR) STRUCTURES DE SUPPORT POUR ZONES DE SOUDURE DE FILS DE PLOTS DE CONNEXION SUR LES MATERIAUX A FAIBLE MODULE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device (200) having support structures (218, 226, 236) beneath wirebond regions (214) of contact pads (204) and a method of forming same. Low modulus dielectric layers (216, 222, 232) are disposed over a workpiece (212). Support structures (218, 226, 236) are formed in the low modulus dielectric layers (216, 222, 232), and support vias (224, 234) are formed between the support structures (218, 226, 236). A high modulus dielectric film (220, 230) is disposed between each low modulus dielectric layer (216, 222, 232), and a high modulus dielectric layer (256) is disposed over the top low modulus dielectric layer (232). Contact pads (204) are formed in the high modulus dielectric layer (256). Each support via (234) within the low modulus dielectric layer (232) resides directly above a support via (224) in the underlaying low modulus dielectric layer (222), to form a plurality of via support stacks within the low modulus dielectric layers (216, 222, 232).
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs (200) ayant des structures de support (218, 226, 236) sous des zones de soudure de fils (214) de plots de connexion (204) ainsi que son procédé de fabrication. Des couches diélectriques à faible module (216, 222, 232) sont disposées sur une pièce à usiner (212). Les structures de support (218, 226, 236) sont formées dans les couches diélectriques à faible module (216, 222, 232) et les coûts d'interconnexion de support (224, 234) sont formés entre les structures de support (218, 226, 236). Un film diélectrique à module élevé (220, 230) est déposé entre chaque couche diélectrique à faible module (216, 222, 232) et une couche diélectrique à module élevé (256) est disposée sur la partie supérieure de la couche diélectrique à faible module (232). Des plots de connexion (204) sont formés dans la couche diélectrique à module élevé (256). Chaque trou d'interconnexion de support (234) au sein de la couche diélectrique à faible module (232) surplombe directement un trou d'interconnexion de support (224) dans la couche diélectrique sous-jacente à faible module (222), de manière à former une pluralité de piles de trous d'interconnexion de support au sein des couches diélectriques à faible module (216, 222, 232).
Designated States: CN, JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)