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1. (WO2004027857) METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/027857    International Application No.:    PCT/JP2003/011771
Publication Date: 01.04.2004 International Filing Date: 16.09.2003
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
YONEKAWA, Tsukasa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI, Keisuke [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YONEKAWA, Tsukasa; (JP).
SUZUKI, Keisuke; (JP)
Agent: SUZUYE, Takehiko; c/o Suzuye & Suzuye, 7-2, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Priority Data:
2002-273854 19.09.2002 JP
Title (EN) METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE TRAITER UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板の処理方法
Abstract: front page image
(EN)A method for processing a semiconductor substrate comprises a step wherein a trench (16) is formed in the surface of a substrate (W) by etching the substrate (W) and a step wherein a corner portion (10) of the substrate which is at the entrance of the trench (16) is rounded off by heating the substrate (W). The step of rounding off the corner portion (10) includes a first heat treatment conducted in a hydrogen gas atmosphere wherein the process temperature (T) is 850 °C < T < 1050 °C and the process pressure (P) is 0.01 kpa < P < 30 kpa.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de traiter un substrat semi-conducteur. Ce procédé comprend une étape dans laquelle on forme une tranchée (16) sur la surface d'un substrat (W) en gravant le substrat (W) et une étape dans laquelle on arrondit une partie cornière (10) du substrat située à l'entrée de la tranchée (16) en chauffant le substrat (W). Cette dernière étape comprend un premier traitement thermique réalisé dans une atmosphère de gaz hydrogène dans laquelle la température de traitement (T) est comprise entre 850 °C et 1050 °C et la pression de traitement (P) est comprise entre 0,01 kpa et 30 kpa.
(JA)not available
Designated States: KR, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)