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1. (WO2004027849) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/027849    International Application No.:    PCT/JP2003/011988
Publication Date: 01.04.2004 International Filing Date: 19.09.2003
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-20, Higashi-Nakano 3-chome, Nakano-ku, Tokyo 164-8511 (JP) (For All Designated States Except US).
HORITA, Susumu [JP/JP]; (JP).
NAKATA, Yasunori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SEKI, Masao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HORII, Sadayoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIYA, Hironobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HASHIBA, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HORITA, Susumu; (JP).
NAKATA, Yasunori; (JP).
SEKI, Masao; (JP).
HORII, Sadayoshi; (JP).
MIYA, Hironobu; (JP).
HASHIBA, Yoshiaki; (JP)
Agent: KAJIWARA, Tatuya; I-201, Central Nishi-Shinjuku, 9-5, Nishi-Shinjuku 8-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Priority Data:
2002-276076 20.09.2002 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
Abstract: front page image
(EN)An oxidant supplying unit (30) comprises an ozonizer (31) for producing ozone (32), a bubbler (34) wherein deionized water (35) is kept and an ozone supplying pipe (33) for supplying ozone (32) from the ozonizer (31) is immersed in the deionized water (35) so as to form bubbles of ozone, and a supplying pipe (36) for supplying an oxidant (37) which contains OH∗ produced by the ozone bubbles. The unit (30) is connected to a feeding pipe (18) of an oxide film forming apparatus (10). Since the oxidant which contains OH∗ produced by the ozone bubbles in water has a strong oxidizing power, an oxide film can be formed over a wafer at relatively low temperatures in a short time. Since no plasma is used, a semiconductor device or a circuit pattern previously formed on the wafer can be prevented from being damaged by a plasma. Consequently, the oxide film forming apparatus is improved in the throughput, performance and reliability.
(FR)L'invention concerne une unité d'approvisionnement en comburant (30), qui comprend un ozoneur (31) servant à produire de l'ozone (32); un barboteur (34) dans lequel de l'eau déionisée (35) est conservée. Une conduite d'amenée de l'ozone (33) destiné à acheminer l'ozone (32) de l'ozoneur (31) est immergé dans l'eau déionisée (35) de manière à former des bulles d'ozone. Un tuyau d'amenée (36) achemine un comburant (37) contenant OH* produit par les bulles d'ozone. L'unité (30) est connectée à un tuyau d'alimentation (18) d'un appareil de formation de couches d'oxyde (10). Puisque le comburant contenant OH* produit par les bulles d'ozone dans l'eau présente un grand pouvoir oxydant, une couche d'oxyde peut être formée sur une plaquette à des températures relativement basses et dans un bref laps de temps. Aucun plasma n'est utilisé, ce qui évite une dégradation d'un dispositif à semi-conducteur ou d'une configuration de circuit formé(e) antérieurement sur la plaquette due au plasma. L'appareil de formation de couches d'oxyde présente donc une capacité, une performance et une fiabilité améliorées.
(JA)酸化膜形成装置(10)の導入管(18)には、オゾン(32)を生成するオゾナイザ(31)と、脱イオン水(35)が貯留されオゾナイザ(31)のオゾン(32)を供給するオゾン供給管(33)が脱イオン水(35)の中に浸漬されてバブリングされるバブラ(34)と、オゾン(32)のバブリングで生成したOH*を含む酸化剤(37)を供給する供給管(36)とを備えた酸化剤供給装置(30)が、接続されている。オゾンを水中でバブリングして生成したOH*を含む酸化剤は強力な酸化力を有するので、ウエハに酸化膜を比較的に低温下で短時間に形成できる。プラズマを使用せずに済むので、ウエハに先に形成された半導体素子や回路パターン等にプラズマダメージを与えるのを未然に回避できる。酸化膜形成装置のスループットや性能および信頼性を向上できる。
Designated States: CN, JP, KR, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)