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1. (WO2004027844) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A COMPOSITE SICOI-TYPE SUBSTRATE COMPRISING AN EPITAXY STAGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/027844    International Application No.:    PCT/FR2003/050044
Publication Date: 01.04.2004 International Filing Date: 01.09.2003
Chapter 2 Demand Filed:    26.03.2004    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33, rue de la Fédération, F-75752 Paris 15ème (FR) (For All Designated States Except US).
S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (For All Designated States Except US).
DI CIOCCIO, Léa [FR/FR]; (FR) (For US Only).
TEMPLIER, François [FR/FR]; (FR) (For US Only).
BILLON, Thierry [FR/FR]; (FR) (For US Only).
LETERTRE, Fabrice [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: DI CIOCCIO, Léa; (FR).
TEMPLIER, François; (FR).
BILLON, Thierry; (FR).
LETERTRE, Fabrice; (FR)
Agent: LEHU, Jean; c/o BREVATOME, 3, rue du Docteur Lancereaux, F-75008 Paris (FR)
Priority Data:
02/10884 03.09.2002 FR
Title (EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A COMPOSITE SICOI-TYPE SUBSTRATE COMPRISING AN EPITAXY STAGE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE DU TYPE SiCOI COMPRENANT UNE ETAPE D'EPITAXIE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for the production of a composite SiCOI-type substrate comprising the following stages: provision of an initial substrate comprising an Si or SiC support (1) supporting an SiO2 layer (2) on which a thin SiC layer (3) is applied; expitaxy of the SiC (4) on the thin SiC layer (3). Epitaxy is carried out at the following temperatures: from 1450 °C in order to obtain 6H or 4H polytype epitaxy (4) on the thin, applied 6H or 4H polytype layer (3) respectively; if the support (1) is made of SiC, from 1350C in order to obtain 3C polytype epitaxy (4) on the thin, applied 3C polytype layer (3); if the support (1) is made of Si or SiC, from 1350 °C in order to obtain 6H or 4H polytype epitaxy (4) on a thin, applied 6H or 4H polytype layer (3) respectively if the support (1) is made of Si.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat composite du type SiCOI comprenant les étages suivantes : fourniture d’un substrat initial comprenant un support (1) en Si ou en SiC supportant une couche (2) de SiO2 sur laquelle est reportée une couche mince (3) de SiC, épitaxie de SiC (4) sur la couche mince (3) de SiC. L'épitaxie est réalisée aux températures suivantes : à partir de 1450°C pour obtenir une épitaxie (4) de polytype 6H ou 4H sur une couche mince reportée (3) de polytype 6H ou 4H respectivement, si le support (I) est en SiC, à partir de 1350°C pour obtenir une épitaxie (4) de polytype 3C sur une couche mince reportée (3) de polytype 3C, si le support (1) est en Si ou en SiC, à partir de 1350°C pour obtenir une épitaxie (4) de polytype 6H ou 4H sur une couche mince reportée (3) de polytype 6H ou 4H respectivement, si le support (1) est en Si.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)