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1. (WO2004027840) PROCESS FOR ETCHING SILICON WAFERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/027840    International Application No.:    PCT/US2003/029716
Publication Date: 01.04.2004 International Filing Date: 18.09.2003
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive P.O. Box 8 St. Peters, MO 63376 (US)
Inventors: ERK, Henry, F.; (US).
GRABBE, Alexis; (US).
CAPSTICK, James, R.; (US).
SCHMIDT, Judith, A.; (US).
SING, Annlie; (US).
ZHANG, Guoqiang, (David); (US).
DOANE, Thomas, E.; (US).
STINSON, Mark, G.; (US)
Agent: WEGMAN, Andrew, C.; Senniger, Powers, Leavitt & Roedel, #1 Metropolitan Square, 16th Floor, St. Louis, MO 63102 (US)
Priority Data:
60/411,544 18.09.2002 US
60/487,662 16.07.2003 US
Title (EN) PROCESS FOR ETCHING SILICON WAFERS
(FR) PROCEDE DE GRAVURE DE PLAQUETTES DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A process for etching silicon wafers using a caustic etchant in the form of an aqueous solution comprising water and a source of hydroxide ions and generally characterized by a lower concentration of water and/or higher concentration of source of hydroxide ions. In accordance with another embodiment, the caustic etchant includes a salt additive. The process produces silicon wafers with improved surface characteristics such as flatness and nanotopography.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure de plaquettes de silicium à l'aide d'un agent de gravure caustique se présentant sous la forme d'une solution aqueuse contenant de l'eau et une source d'ions hydroxyde et caractérisée par une concentration inférieure en eau et/ou une concentration supérieure en source d'ions hydroxyde. Dans un autre mode de réalisation, l'agent de gravure caustique contient un additif de sel. Le procédé selon l'invention permet de fabriquer des plaquettes de silicium présentant de meilleures caractéristiques de surface telles que la planéité et la nanotopographie.
Designated States: CN, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)