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1. (WO2004027816) A METHOD AND APPARATUS FOR THE COMPENSATION OF EDGE RING WEAR IN A PLASMA PROCESSING CHAMBER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/027816    International Application No.:    PCT/US2003/029309
Publication Date: 01.04.2004 International Filing Date: 16.09.2003
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; P962PCT, 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (For All Designated States Except US).
STEGER, Robert, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: STEGER, Robert, J.; (US)
Agent: NGUYEN, Joseph, A.; IP Strategy Group P.C., 10121 Miller Avenue Suite 201, Cupertino, CA 95014 (US)
Priority Data:
10/247,812 18.09.2002 US
Title (EN) A METHOD AND APPARATUS FOR THE COMPENSATION OF EDGE RING WEAR IN A PLASMA PROCESSING CHAMBER
(FR) PROCEDE ET APPAREIL POUR COMPENSER L'USURE D'UN ANNEAU DE BORDURE DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abstract: front page image
(EN)A method for processing a plurality of substrates in a plasma processing chamber of a plasma processing system, each of the substrate being disposed on a chuck and surrounded by an edge ring during the processing. The method includes processing a first substrate of the plurality of substrates in accordance to a given process recipe in the plasma processing chamber. The method further includes adjusting, thereafter, a capacitance value of a capacitance along a capacitive path between a plasma sheath in the plasma processing chamber and the chuck through the edge ring by a given value. The method additionally includes processing a second substrate of the plurality of substrates in accordance to the given process recipe in the plasma processing chamber after the adjusting, wherein the adjusting is performed without requiring a change in the edge ring.
(FR)L'invention concerne un procédé pour traiter une pluralité de substrats dans une chambre de traitement au plasma contenue dans un système de traitement au plasma, chaque substrat étant disposé sur un mandrin et entouré par un anneau de bordure, lors du traitement. Ledit procédé comprend le traitement d'un premier substrat, selon une formule de processus donné, dans la chambre de traitement au plasma. Ledit procédé comprend, de plus, le réglage d'une valeur de capacitance d'une capacitance le long d'un chemin capacitatif entre une gaine au plasma située dans la chambre de traitement au plasma et le mandrin à travers l'anneau de bordure par une valeur donnée. Ledit procédé comprend, de plus, le traitement d'un second substrat de la pluralité de substrats, selon la formule de processus donné, dans la chambre de traitement au plasma, après réglage, lequel est effectué sans avoir besoin de modifier l'anneau de bordure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)