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1. (WO2004027684) PHOTOLITHOGRAPHY MASK REPAIR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/027684    International Application No.:    PCT/US2003/029521
Publication Date: 01.04.2004 International Filing Date: 18.09.2003
IPC:
G03F 9/00 (2006.01), G06K 9/00 (2006.01), G21G 5/00 (2006.01), H01J 37/00 (2006.01)
Applicants: FEI COMPANY [US/US]; 5350 NE Dawson Creek Drive, Hillsboro, OR 97124-5793 (US) (For All Designated States Except US).
STEWART, Diane, K. [US/US]; (US) (For US Only).
CASEY JR., J., David [US/US]; (US) (For US Only).
BEATY, John [US/US]; (US) (For US Only).
MUSIL, Christian, R. [US/US]; (US) (For US Only).
BERGER, Steven [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: STEWART, Diane, K.; (US).
CASEY JR., J., David; (US).
BEATY, John; (US).
MUSIL, Christian, R.; (US).
BERGER, Steven; (US)
Agent: SCHEINBERG, Michael , O.; P.O. Box 164140, Austin, TX 78716-4140 (US)
Priority Data:
60/411,699 18.09.2002 US
Title (EN) PHOTOLITHOGRAPHY MASK REPAIR
(FR) REPARATION DE MASQUES PHOTOLITHOGRAPHIQUES
Abstract: front page image
(EN)Masks can be repaired by creating a structure that is different from the original design, but that produces the same aerial image. For example, missing opaque material can be replaced by implanting gallium atoms to reduce transmission and quartz can be etched to an appropriate depth to produce the proper phase. In another aspect, a laser or other means can be used to remove an area of a mask around a defect, and then mask structures, either the intended design structures or alternate structures that produce the same aerial image, can be constructed using charged particle beam deposition and etching. For example, an electron beam can be used to deposit quartz to alter the phase of transmitted light. An electron beam can also be used with a gas to etch quartz to remove a layer including implanted gallium atoms. Gallium staining can also be reduced or eliminated by providing a sacrificial layer that can be removed, along with the implanted gallium atoms, using, for example, a broad ion beam. In another aspect, a charged particle beam can be programmed to etch a defect using three-dimensional information derived from two charged particle beams images of the defect from different angle.
(FR)L'invention permet de réparer des masques par la formation d'une structure différente du motif d'origine, mais qui produit la même image réelle. Par exemple, la matière opaque manquante peut être remplacée par l'implantation d'ions gallium afin de réduire la transmission, et le quartz peut être gravé à une profondeur appropriée pour produire la phase adéquate. Dans un autre aspect, on peut utiliser un laser ou un autre dispositif pour éliminer une zone d'un masque se situant autour d'un défaut ; on peut ensuite former des structures de masque, soit les structures prévues, soit d'autres structures produisant la même image réelle, par dépôt et gravure par faisceau de particules chargées. Par exemple, un faisceau d'électrons peut être utilisé pour déposer du quartz afin de modifier la phase de la lumière transmise. Un faisceau d'électrons peut aussi être utilisé avec un gaz pour graver le quartz afin d'éliminer une couche comprenant des atomes de gallium implantés. On peut aussi réduire ou éliminer les taches de gallium en prévoyant une couche sacrificielle pouvant être éliminée, ainsi que les atomes de gallium implantés, au moyen, par exemple, d'un faisceau ionique large. Dans un autre aspect, un faisceau de particules chargées peut être programmé pour graver un défaut à l'aide de données tridimensionnelles obtenues à partir de deux images du défaut, prises sous un angle différent et utilisant les faisceaux de particules chargées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)