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1. (WO2004027127) ACICULAR SILICON CRYSTAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/027127    International Application No.:    PCT/JP2003/011317
Publication Date: 01.04.2004 International Filing Date: 04.09.2003
IPC:
C30B 25/00 (2006.01)
Applicants: TOSHIBA CERAMICS CO.,LTD [JP/JP]; 6-3, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0032 (JP) (For All Designated States Except US).
TECHNO NETWORK SHIKOKU CO.,LTD [JP/JP]; 2-5, Marunouchi, Takamatsu-shi, Kagawa 760-0033 (JP) (For All Designated States Except US).
HATTA, Akimitsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIMURA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIMOTO, Keiichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KANAKUSA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAGOE, Shinichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HATTA, Akimitsu; (JP).
YOSHIMURA, Hiroaki; (JP).
ISHIMOTO, Keiichi; (JP).
KANAKUSA, Hiroaki; (JP).
KAWAGOE, Shinichi; (JP)
Agent: KINOSHITA, Shigeru; 4TH FL.KANEKO BLDG., 42, Nakasaiwai-cho 4-chome, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 212-0012 (JP)
Priority Data:
2002-272473 19.09.2002 JP
2002-345192 28.11.2002 JP
2003-007772 16.01.2003 JP
Title (EN) ACICULAR SILICON CRYSTAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) CRISTAL DE SILICIUM ACICULAIRE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CE CRISTAL
(JA) 針状シリコン結晶およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)An acicular silicon crystal and a process for producing the same. In particular, an acicular silicon crystal having a peaked configuration of nanosize, used advantageously in nanotechnology; and a process for producing the same wherein immense quantities of such acicular silicon crystals can be formed on a surface of silicon substrate. More specifically, a superfine acicular silicon crystal which is tapered so as to exhibit a radius of curvature of 1 to 20 nm at the tip thereof and which has a substantially conical peaked configuration with a basal plane diameter of 10 nm or greater and a height of 1 or more times the basal plane diameter. Such acicular silicon crystals are formed uniformly over a surface of silicon substrate in an orientation perpendicular to the substrate surface according to the plasma CVD technique performed in the presence of a catalyst. Thus, acicular silicon crystals can be formed uniformly in immense quantities on a desired place with high reproducibility.
(FR)La présente invention concerne un cristal de silicium aciculaire et un procédé de production de ce cristal. En particulier, l'invention concerne un cristal de silicium aciculaire ayant une configuration en pic de taille de l'ordre du nanomètre, utilisé de manière avantageuse en nanotechnologie, ainsi qu'un procédé de production de ce cristal selon lequel il est possible de former de très grandes quantités de tels cristaux de silicium aciculaire sur une surface d'un substrat en silicium. Plus spécifiquement, l'invention concerne un cristal de silicium aciculaire superfin qui est effilé de manière à présenter un rayon de courbure compris entre 1 et 20 nm au niveau de sa pointe et qui possède une configuration en pic sensiblement conique avec un diamètre du plan de base supérieur ou égal à 10 nm et une hauteur multiple du diamètre du plan de base. Ces cristaux de silicium aciculaire sont formés uniformément sur une surface d'un substrat en silicium suivant une orientation perpendiculaire à la surface du substrat conformément à la technique de plasma CVD effectuée en présence d'un catalyseur. Ainsi, il est possible de former des cristaux de silicium aciculaire de manière uniforme et en très grandes quantités sur un site souhaité et avec une forte reproductibilité.
(JA)not available
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)