WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2004026983) POLISHING MEDIA FOR CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION (CMP)
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/026983    International Application No.:    PCT/US2003/029243
Publication Date: 01.04.2004 International Filing Date: 18.09.2003
IPC:
B24B 37/22 (2012.01), B24B 37/24 (2012.01), B24D 3/32 (2006.01), B24D 3/34 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US)
Inventors: LIN, Jibing; (US).
CHARATAN, Robert; (US)
Agent: MARTINE, Peter, B.; Martine & Penilla LLP, 710 Lakeway Drive, Suite 170, Sunnyvale, CA 94085 (US)
Priority Data:
10/251,324 20.09.2002 US
10/367,439 14.02.2003 US
Title (EN) POLISHING MEDIA FOR CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION (CMP)
(FR) SUPPORT DE POLISSAGE DESTINE A LA PLANARISATION MECANICO-CHIMIQUE (CMP)
Abstract: front page image
(EN)A polishing media for chemical mechanical planarization (CMP) includes a layer comprised of a CMP pad material having a water-soluble material comprised of cyclodextrin dispersed therein. The layer may form part of a pad configured for rotary CMP or part of a belt pad configured for linear CMP. In one method for conducting a CMP operation, a polishing media having a layer comprised of a CMP pad material with a water­soluble material comprised of cyclodextrin dispersed therein is contacted with a slurry, water, or an aqueous solution to remove the water-soluble material comprised of cyclodextrin from the CMP pad material. In another method, the water-soluble material comprised of cyclodextrin is removed from the CMP pad material before the CMP operation.
(FR)Un support de polissage destiné à la planarisation mécanico-chimique (CMP) comprend une couche constituée d'un matériau de tampon CMP possédant un matériau soluble dans l'eau comprenant de la cyclodextrine dispersée à l'intérieur. Cette couche peut former un tampon agencé en vue d'un polissage CMP rotatif ou une partie de tampon en bande agencée en vue d'un polissage CMP linéaire. Dans un procédé de mise en oeuvre d'un polissage CMP, un support de polissage possédant une couche constituée d'un matériau tampon CMP avec un matériau soluble dans l'eau comprenant de la cyclodextrine dispersée à l'intérieur, est mis en contact avec une solution épaisse, de l'eau ou avec une solution aqueuse en vue de retirer le matériau soluble dans l'eau comprenant de la cyclodextrine du matériau de tampon CMP. Dans un autre procédé, le matériau soluble dans l'eau comprenant de la cyclodextrine est retiré du matériau de tampon CMP avant le polissage CMP.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)