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1. (WO2004026759) METHOD FOR PRODUCING INSULATION STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/026759    International Application No.:    PCT/DE2003/003049
Publication Date: 01.04.2004 International Filing Date: 12.09.2003
IPC:
B81C 1/00 (2006.01)
Applicants: CONTI TEMIC MICROELECTRONIC GMBH [DE/DE]; Sieboldstrasse 19, 90411 Nürnberg (DE) (For All Designated States Except US).
AIKELE, Matthias [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ENGELHARDT, Albert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FREY, Marcus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HARTMANN, Bernhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SEIDEL, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: AIKELE, Matthias; (DE).
ENGELHARDT, Albert; (DE).
FREY, Marcus; (DE).
HARTMANN, Bernhard; (DE).
SEIDEL, Helmut; (DE)
Priority Data:
102 42 661.9 13.09.2002 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON ISOLATIONSSTRUKTUREN
(EN) METHOD FOR PRODUCING INSULATION STRUCTURES
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE DES STRUCTURES D'ISOLATION
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft Verfahren zum Herstellen von Isolationsstrukturen für mikromechanischen Sensoren in einkristalliner Oberflächentechnologie. Bei bekannten Verfahren werden durch tiefe Trenchgräben definierte Siliziumstrukturen geätzt und durch einen 'Release-Etch' Schritt auch auf ihrer Unterseite zum Substrat hin freigelegt. Anschliessendens Auffüllen dieser Gräben mit einem dielektrisch isolierenden Material, wie zum Beispiel Siliziumdioxid, führt zu einer festen Verankerung durch eine dreiseitige, einseitig offene Umklammerung der Siliziumstruktur mit aufgefüllten Trenchgräben. Der wesentliche Gedanke der Erfindung ist, anstelle des Auffüllens von Gräben die Umwandlung von dünnwandigem Silizium in ein elektrisch nichtleitendes Material vorzunehmen. Dies kann zum Beispiel mit Hilfe einer thermischen Oxidation von schmalen, zuvor durch Trenchgräben freigelegten Siliziumstegen bewerkstelligt werden. In der Minimalkonfiguration müssen dazu zwei Trenchgräben (Löcher) pro Steg mit der gewünschten Strukturtiefe geätzt werden. Der dazwischenliegende Siliziumsteg muss schmal genug sein, um vollständig thermisch durchoxidiert werden zu können.
(EN)The invention relates to methods for producing insulation structures for micromechanical sensors according to a monocrystalline surface technique. According to known methods, silicon structures defined by deep trenches are etched and the lower side thereof facing the substrate is exposed by a release etch step. The filling of said trenches with a dielectrically insulating material, such as silicon dioxide, enables the silicon structure to be solidly clutched on three sides. The invention is based on the fact that instead of filling trenches, thin-walled silicon is converted into an electrically non-conductive material. This can be carried out, for example, by means of thermal oxidation of narrow silicon sections previously exposed by trenches. In a minimal configuration, two trenches (holes) must be etched per section with the desired structural depth. The interlying silicon section must be narrow enough to be able to be fully thermally oxidised.
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire des structures d'isolation destinées à des capteurs micromécaniques réalisés selon une technique faisant appel à des surfaces monocristallines. Selon les procédés connus, on obtient des structures de silicium par formation de tranchées profondes par attaque et on dégage le côté inférieur desdites structures en direction du substrat au moyen d'une attaque d'élimination. Le remplissage de ces tranchées avec un matériau isolant diélectrique, par exemple avec du dioxyde de silicium, assure un ancrage solide par enserrage, sur trois côtés, de la structure de silicium au moyen des tranchées remplies. Selon l'invention, au lieu de remplir les tranchées, on transforme le silicium à faible épaisseur de paroi en un matériau non conducteur électriquement. A cet effet, on peut réaliser par exemple une oxydation thermique de minces éléments jointifs en silicium dégagés auparavant à travers des tranchées. Dans une configuration minimale, il est nécessaire de former par attaque deux tranchées (trous) par élément jointif, présentant la profondeur de structure souhaitée. L'élément jointif en silicium intercalé doit être suffisamment mince pour pouvoir être entièrement oxydé thermiquement.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)