(DE) In einem Si-Körper (1) wird ein Graben (2) hergestellt, dessen Wände (4) mit einer Stickstoffimplantierung (6) versehen werden. Eine Oxidschicht zwischen den Source-/Drain-Bereichen (5) und einer auf der Oberseite aufgebrachten Wortleitung wächst dicker auf als eine untere Oxidschicht einer als Gate-Dielektrikum an der Grabenwand hergestellte ONO-Speicherschicht. Statt der Stickstoffimplantierung in die Grabenwände kann eine Metallsilizidschicht auf den Oberseiten der Source-/Drain-Bereiche hergestellt werden, um das Oxidwachstum dort zu beschleunigen.
(EN) Disclosed is an Si body (1) in which a ditch (2) is created, the walls (4) of said ditch (2) being provided with a nitrogen implant (6). An oxide layer which is disposed between the source/drain areas (5) and a word line that is applied to the upper face grows thicker than a lower oxide layer of an ONO storage layer that is created on the ditch wall as a gate dielectric. A metal silicide layer can be created on the upper faces of the source/drain areas instead of the nitrogen implant in the ditch walls in order to accelerate oxide growth there.
(FR) Dans un élément en silicium (1) est façonné un puits (2) dont les parois (4) sont dotées d'une implantation d'azote (6). Une couche d'oxyde située entre les zones source/drain (5) et un canal mots disposé sur la face supérieure croît plus en volume qu'une couche d'oxyde inférieure d'une couche de mémoire ONO fonctionnant comme diélectrique de grille sur la paroi du puits. A la place d'une implantation d'azote dans les parois du puits, une couche de siliciure de métal peut être façonnée sur les faces supérieures des zones source/drain pour accélérer la croissance de l'oxyde à ces emplacements.