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1. (WO2004024981) PRECURSOR MATERIAL DELIVERY SYSTEM FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
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Pub. No.: WO/2004/024981 International Application No.: PCT/US2003/028436
Publication Date: 25.03.2004 International Filing Date: 10.09.2003
Chapter 2 Demand Filed: 16.03.2004
IPC:
C23C 16/44 (2006.01) ,C30B 25/14 (2006.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
23
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
C
COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16
Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition (CVD) processes
44
characterised by the method of coating
C CHEMISTRY; METALLURGY
30
CRYSTAL GROWTH
B
SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
25
Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour deposition growth
02
Epitaxial-layer growth
14
Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
Applicants:
AITCHISON, Bradley, J. [US/US]; US (UsOnly)
MAULA, Jarmo [FI/FI]; FI (UsOnly)
LESKINEN, Hannu [FI/FI]; FI (UsOnly)
LANG, Teemu [FI/FI]; FI (UsOnly)
KUOSMANEN, Pekka [FI/FI]; FI (UsOnly)
HÄRKÖNEN, Kari [FI/FI]; FI (UsOnly)
SONNINEN, Martti [FI/FI]; FI (UsOnly)
PLANAR SYSTEMS, INC. [US/US]; 1195 NW Compton Drive Beaverton, OR 97006, US (AllExceptUS)
Inventors:
AITCHISON, Bradley, J.; US
MAULA, Jarmo; FI
LESKINEN, Hannu; FI
LANG, Teemu; FI
KUOSMANEN, Pekka; FI
HÄRKÖNEN, Kari; FI
SONNINEN, Martti; FI
Agent:
FERRIS, Kassim, M.; Stoel Rives LLP 900 SW Fifth Avenue, Suite 2600 Portland, OR 97204-1268, US
Priority Data:
10/400,05425.03.2003US
60/410,06711.09.2002US
Title (EN) PRECURSOR MATERIAL DELIVERY SYSTEM FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) SYSTEME DE DISTRIBUTION DE MATERIAUX PRECURSEURS POUR DEPOT EN COUCHES ATOMIQUES
Abstract:
(EN) A precursor delivery system (100) includes a flow path (104) from a precursor container (102) to a reaction space (110) of a thin film deposition system, such as an atomic layer deposition reactor. A staging volume (114) is preferably between precursor container (102) and reaction space (110) for receiving at least one dose of precursor material from precursor container (102), from which a series of pulses is released toward reaction space (110). Precursor material is typically vaporized after loading in precursor container (102), by heating or reducing the pressure inside precursor container (102). A vacuum line (156) preferably coupled to precursor container (102) bypasses reaction space (110) for reducing pressure inside precursor container (102) without drawing particles into reaction space (110). A high conductivity particle filter having inertial traps may be included, preferably between precursor container (102) and a staging volume (114), for filtering particles from the precursor material.
(FR) L'invention concerne un système de distribution de matériaux précurseurs 100 comprenant un circuit d'écoulement 104 reliant un récipient pour précurseurs 102 à un espace de réaction 110 d'un système de dépôt de couches minces, tel qu'un réacteur de dépôt en couches atomiques. De préférence, un volume intermédiaire 114 est placé entre le récipient pour précurseurs 102 et l'espace de réaction 110 afin de recevoir au moins une dose de matériau précurseur provenant du récipient pour précurseurs 102. Une série d'impulsions est libérée à partir du matériau précurseur en direction de l'espace de réaction 110. Un matériau précurseur est généralement vaporisé après avoir été chargé dans le récipient pour précurseurs 102, soit par chauffage, soit par réduction de la pression à l'intérieur du récipient pour précurseurs 102. Une tuyauterie sous vide 156 couplée de préférence au récipient pour précurseurs 102 contourne l'espace de réaction 110 afin de réduire la pression à l'intérieur du récipient pour précurseurs 102 sans aspirer les particules dans l'espace de réaction 110. Un filtre à particules à haute conductivité comprenant des pièges inertiels peut être inclus, de préférence entre le récipient pour précurseurs 102 et un volume intermédiaire 114, pour filtrer les particules du matériau précurseur.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)