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1. (WO2004010581) INTERCONNECT STRUCTURE FOR ELECTRICAL DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/010581    International Application No.:    PCT/US2003/023176
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 23.07.2003
IPC:
G06F 15/80 (2006.01)
Applicants: GATECHANGE TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 115 Research Drive, Bethlehem, PA 18015 (US) (For All Designated States Except US).
KLEIN, Robert, C., Jr. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KLEIN, Robert, C., Jr.; (US)
Agent: SINGER, James, M.; Pepper Hamilton LLP, One Mellon Center, 50th Floor, 500 Grant Street, Pittsburgh, PA 15219 (US)
Priority Data:
60/398,153 23.07.2002 US
Title (EN) INTERCONNECT STRUCTURE FOR ELECTRICAL DEVICES
(FR) STRUCTURE D'INTERCONNEXION POUR DISPOSITIFS ELECTRIQUES
Abstract: front page image
(EN)A toroidal interconnect structure is continuous, symmetrical, and non-breaking for the connection of logic and other resources in a semiconductor or other device. The toroidal interconnect structure allows logical and electrical components that physically are implemented in two-dimensional silicon to be organized and connected in a continuous, homogeneous, symmetrical and non-breaking three-dimensional fashion. Instead of connecting components to their nearest neighbors, the connections in the toroidal interconnect skip adjacent rows and columns of interior components and connect directly to components that are physically two rows or columns away. By continuing to skip rows or columns across the device and eventually looping back and connecting the remaining 'skipped' components, the continuous, non-breaking connection path is created.
(FR)La présente invention a trait à une structure toroïdale continue, symétrique, et sans rupture pour la connexion de ressources logiques et autres dans un dispositif à semi-conducteur ou autre. La structure toroïdale d'interconnexion permet l'agencement et la connexion en trois dimensions des composants logiques et électriques qui sont mis en oeuvre physiquement en silicium bidimensionnel de manière continue, homogène, symétrique et sans rupture. Au lieu de relier les composants à leurs plus proches voisins, les connexions dans l'interconnexion toroïdale contournent les rangées et colonnes adjacentes des composants intérieurs et sont reliées directement aux composants qui sont physiquement éloignés de deux rangées ou colonnes. Par le contournement constant des rangées et des colonnes à travers le dispositif et éventuellement par le rebouclage et la connexion des composants contournés restants, on crée le trajet de connexion de sans rupture.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)