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1. (WO2004010497) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/010497    International Application No.:    PCT/JP2002/007513
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 24.07.2002
IPC:
H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01), H01L 23/50 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8310 (JP) (For All Designated States Except US).
NINOMIYA, Keiji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ITOH, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
JOBA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NINOMIYA, Keiji; (JP).
ITOH, Kenji; (JP).
JOBA, Hiroyuki; (JP)
Agent: YOSHIDA, Shigeaki; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0001 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device especially comprising ground terminals and a plurality of signal terminals arranged on the periphery thereof in which the performance is enhanced. Ground terminals (5, 35) connected with a function block (11) are isolated from ground terminals (6, 36) connected with a function block (12). Since a ground potential being applied to one function block through the ground terminal is insusceptible to the magnitude of a current flowing through the other function block, performance of each function block is enhanced and thereby performance of the semiconductor device is enhanced.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur notamment des bornes de masse ainsi qu'une pluralité de bornes de signaux agencées à leur périphérie, dont le rendement est amélioré. Les bornes de masse (5, 35) connectées à un bloc de fonctions (11) sont isolées des bornes de masse (6, 36) connectées à un bloc de fonctions (12). Etant donné qu'un potentiel de masse appliqué à un bloc de fonctions, par l'intermédiaire de la borne de masse, n'est pas sensible à l'intensité d'un courant passant dans l'autre bloc de fonctions, le fonctionnement de chaque bloc de fonctions est amélioré, et ainsi le rendement du dispositif à semi-conducteur est accru.
(JA)本発明は半導体装置に関し、特に、グランド端子と、その周辺に配置された複数の信号端子とを備える半導体装置において、その性能を向上させる技術を提供することを目的とする。そして、上記目的を達成するために、機能ブロック(11)に接続されているグランド端子(5,35)を、機能ブロック(12)に接続されているグランド端子(6,36)から分離させている。そのため、一方の機能ブロックにグランド端子を介して与えられる接地電位が、他方の機能ブロックに流れる電流の大きさによって変動することが無い。その結果、機能ブロックのそれぞれの性能が向上し、半導体装置の性能が向上する。
Designated States: CN, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)