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1. (WO2004010490) INDIUM-CONTAINING WAFER AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/010490    International Application No.:    PCT/JP2003/009124
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 17.07.2003
IPC:
H01L 21/322 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 541-0041 (JP) (For All Designated States Except US).
TANAKA, So [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IWASAKI, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TANAKA, So; (JP).
IWASAKI, Takashi; (JP)
Agent: NAKANO, Minoru; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-3, Shimaya 1-chome, Konohana-ku, Osaka-shi, Osaka 554-0024 (JP)
Priority Data:
2002-215456 24.07.2002 JP
Title (EN) INDIUM-CONTAINING WAFER AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) PLAQUETTE CONTENANT DE L'INDIUM ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
(JA) インジウム含有ウエハおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)An indium-containing wafer, characterized in that it has a layer for removing mercury which comprises an additional compound semiconductor and is formed on the outermost surface thereof for the purpose of removing the mercury attached on the surface of the layer; a method for producing an indium-containing wafer, characterized in that it comprises attaching mercury on the surface of the layer for removing mercury, evaluating electric characteristics of said wafer by using the mercury as an electrode, and then removing said layer for removing mercury, to thereby remove the mercury attached on the surface of the layer. The indium-containing wafer allows the insured removal of the above mercury, resulting in the application of the mercury C-V method which is used for measuring characteristics of an indium-containing wafer with high precision and also is a nondestructive test.
(FR)L'invention porte sur une plaquette contenant de l'indium et qui se caractérise par le fait qu'elle est dotée d'une couche permettant d'ôter du mercure qui comprend un composé semi-conducteur supplémentaire et est formée sur la surface la plus externe de ce dernier dans le but d'ôter le mercure fixé à la surface de la couche ; sur un procédé de production de plaquette contenant de l'indium et qui se caractérise par le fait qu'il consiste à fixer du mercure sur la surface de la couche servant à ôter du mercure, à évaluer les caractéristiques électriques de cette plaquette au moyen du mercure utilisé en tant qu'électrode, puis à ôter la dite couche servant à ôter du mercure, afin d'ôter le mercure fixé sur la surface de la couche. La plaquette contenant de l'indium permet le retrait assuré du mercure susmentionné, ce qui permet l'application du procédé C-V au mercure qui sert à mesurer les caractéristiques d'une plaquette contenant de l'indium avec une haute précision, ce procédé étant un test non destructeur.
(JA) インジウム含有ウエハの特性を精度よく測定することができかつ非破壊試験である水銀C−V法を適用可能とするために、水銀除去を確実に行なうことのできるインジウム含有ウエハおよびその製造方法を提供する。 本発明にかかるインジウム含有ウエハは、表面に付着した水銀を除去する目的で最外表面層に形成された付加的な化合物半導体からなる水銀除去層を有することを特徴とする。また、本発明にかかるインジウム含有ウエハの製造方法は、上記水銀除去層の表面に付着させた水銀を電極として、該ウエハの電気特性を評価した後、該水銀除去層を除去することにより表面に付着した水銀を除去することを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)