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1. (WO2004010471) IN-SITU FORMATION OF METAL INSULATOR METAL CAPACITORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/010471    International Application No.:    PCT/US2003/022385
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 18.07.2003
IPC:
H01L 21/285 (2006.01)
Applicants: AVIZA TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 440 Kings Village Road, Scotts Valley, CA 95066 (US) (For All Designated States Except US).
YOSHIHIDE, Senzaki [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YOSHIHIDE, Senzaki; (US)
Agent: SWIATEK, Maria, S.; Dorsey & Whitney LLP, Suite 3400, 4 Embarcadero Center, San Francisco, CA 94111 (US)
Priority Data:
60/396,734 19.07.2002 US
Title (EN) IN-SITU FORMATION OF METAL INSULATOR METAL CAPACITORS
(FR) FORMATION IN SITU DE CONDENSATEURS METAL-ISOLANT-METAL
Abstract: front page image
(EN)The invention describes an in-situ method of fabricating a metal insulator metal (MIM) capacitor and products formed by the same. The method utilizes atomic layer deposition (ALD) or metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). In the method, a metal precursor is sequentially reacted with a nitrogen source, oxidant, and then a nitrogen source again. Reaction with the nitrogen source generates the outermost conductive metal nitride (MN) layers (121). Reaction with the oxidant generates an inner dielectric metal oxide (MOx) layer (110). Alternatively, or in addition, the metal precursor can be reacted with a mixture of oxidant and nitrogen source to generate inner dielectric layer(s) (231, 232, 310) of metal oxynitride (MOxNy). Because the same metal is used throughout the capacitor, the layers in the MIM capacitor exhibits excellent compatibility and stability.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication in situ d'un condensateur métal-isolant-métal (MIM) ainsi que des produits fabriqués à l'aide de ce procédé. Ce procédé fait intervenir un dépôt par couche atomique (ALD) ou un dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques (MOCVD). Dans ce procédé, un précurseur métallique réagit de manière séquentielle avec une source d'azote, un oxydant puis à nouveau avec une source d'azote. La réaction avec la source d'azote génère les couches (121) de nitrure de métal (MN) conductrices extérieures. La réaction avec l'oxydant génère une couche (110) d'oxyde métallique (MOx) diélectrique intérieure. Dans une variante, ou en outre, le précurseur métallique peut réagir avec un mélange composé d'oxydant et de source d'azote pour générer une ou plusieurs couches (231, 232, 310) diélectriques intérieures d'oxynitrure de métal (MOxNy). Le fait que le même métal soit utilisé dans le condensateur permet aux couches présentes dans le condensateur MIM de présenter d'excellentes propriétés de compatibilité et de stabilité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)