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1. (WO2004010464) METHODS OF ELECTROCHEMICALLY TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES, AND METHODS OF FORMING CAPACITOR CONSTRUCTIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/010464    International Application No.:    PCT/US2003/021637
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 10.07.2003
Chapter 2 Demand Filed:    17.02.2004    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 2805 South Federal Way, Boise, ID 83706 (US)
Inventors: COLLINS, Dale, W.; (US).
LANE, Richard, H.; (US).
KLEIN, Rita, J.; (US)
Agent: LATWESEN, David, G.; Wells, St. John P.S., Suite 1300, 601 West First Avenue, Spokane, WA 99201 (US)
Priority Data:
10/199,736 18.07.2002 US
Title (EN) METHODS OF ELECTROCHEMICALLY TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES, AND METHODS OF FORMING CAPACITOR CONSTRUCTIONS
(FR) PROCEDES DE TRAITEMENT ELECTROCHIMIQUE DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCEDES PERMETTANT DE FABRIQUER DES ENSEMBLES DE CONDENSATEURS
Abstract: front page image
(EN)The invention includes methods of electrochemically treating semiconductor substrates. The invention includes a method of electroplating a substance. A substrate having defined first (60) and second (70) regions is provided. The first and second regions can be defined by a single mask, and accordingly can be considered to be self-aligned relative to one another. A first electrically conductive material (50) is formed over the first region, and a second electrically conductive material (42) is formed over the second region. The first and second electrically conductive materials are exposed to an electrolytic solution while providing electrical current to the first and second electrically conductive materials. A desired substance is selectively electroplated onto the first electrically conductive material during the exposing of the first and second electrically conductive materials to the electrolytic solution. The invention also includes methods of forming capacitor constructions.
(FR)L'invention concerne des procédés de traitement électrochimique de substrats semi-conducteurs, parmi lesquels un procédé d'électrodéposition d'une substance. L'invention concerne également un substrat présentant une première région et une seconde région définies. La première et la seconde région peuvent être définies par un seul masque et, de ce fait, elles peuvent être considérées comme étant autoalignées l'une par rapport à l'autre. Un premier matériau électroconducteur est formé sur la première région, et un second matériau électroconducteur est formé sur la seconde région. Ces deux matériaux électroconducteurs sont exposés à une solution électrolytique pendant qu'un courant électrique est appliqué aux deux matériaux. Une substance souhaitée est sélectivement déposée par électrodéposition sur le premier matériau électroconducteur pendant l'exposition du premier et du second matériau électroconducteurs à la solution électrolytique. Cette invention comprend également des procédés permettant de former des ensembles de condensateurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)