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1. (WO2004010456) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/010456    International Application No.:    PCT/JP2003/008930
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 14.07.2003
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP)
Inventors: IWAI, Tetsuhiro; (JP).
ARITA, Kiyoshi; (JP)
Agent: OGURI, Shohei; Eikoh Patent Office, 28th Floor, Ark Mori Building, 12-32, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 107-6028 (JP)
Priority Data:
2002-209052 18.07.2002 JP
Title (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abstract: front page image
(EN)In a plasma processing apparatus for plasma-processing a silicon wafer (6) to which a protective film (6a) is stuck in a state that the silicon wafer (6) is held by a first electrode (3) by electrostatic absorption and is being cooled, the top surface (3g) of the first electrode (3) consists of a top surface central area A that is inside a boundary line (P2) that is distant inward by a prescribed length from the outer periphery (P1) of the silicon wafer (6) and in which the conductor is exposed, and a ring-shaped top surface peripheral area B that surrounds the top surface central are A and in which the conductor is covered with an insulating coating (3f). This structure makes it possible to hold the silicon wafer (6) by sufficient electrostatic holding force by bringing the silicon wafer (6) into direct contact with the conductor and to increase the cooling efficiency by virtue of heat conduction from the silicon wafer (6) to the first electrode (3).
(FR)Dans un appareil de traitement au plasma permettant de traiter au plasma une tranche de silicium (6), cette dernière, sur laquelle est collé un film de protection (6a) dans un état de préservation de la tranche de silicium (6) par une première électrode (3) par absorption électrostatique, est rafraîchie, la surface supérieure (3g) de la première électrode (3) constituée d'une zone centrale de surface supérieure A se trouve à l'intérieur d'une ligne limite (P2) séparée vers l'intérieur par une longueur prescrite partant du pourtour externe (P1) de la tranche de silicium (6) et dans laquelle le conducteur est exposé, et une zone périphérique de surface supérieure B en forme d'anneau entourant la zone centrale de surface supérieure A et dans laquelle le conducteur est recouvert d'un revêtement isolant (3f). Cette structure rend possible le support d'une tranche de silicium (6) par une force de support électrostatique suffisante grâce à la mise en contact de la tranche de silicium (6) avec le conducteur et rend possible l'augmentation de l'efficacité de refroidissement en raison de la conduction thermique de la tranche de silicium (6) vers la première électrode (3).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)