WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2004010436) MULTI-STATE MRAM WITH IMPROVED STORAGE DENSITY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/010436    International Application No.:    PCT/US2003/020232
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 27.06.2003
IPC:
G11C 11/56 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US)
Inventors: SLAUGHTER, Jon, M.; (US).
SAVTCHENKO, Leonid; .
GORONKIN, Herbert; (US)
Agent: KING, Robert, L.; Freescale Semiconductor, Inc., 7700 West Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729-8084 (US)
Priority Data:
10/198,203 17.07.2002 US
Title (EN) MULTI-STATE MRAM WITH IMPROVED STORAGE DENSITY
(FR) MEMOIRE A ACCES ALEATOIRE MAGNETORESISTIVE A MULTIPLES ETATS ET DENSITE DE STOCKAGE AMELIOREE
Abstract: front page image
(EN)A multi-state magnetoresistive random access memory device (7) comprising a pinned ferromagnetic region (19) having a magnetic moment vector (20) fixed in a preferred direction in the absence of an applied magnetic field, an non-ferromagnetic spacer layer (24) positioned on the pinned ferromagnetic region, and a free ferromagnetic region (26) with an anisotropy designed to provide a free magnetic moment vector (30) within the free ferromagnetic region with N stable positions, wherein N is a whole number greater than two, positioned on the non-ferromagnetic spacer layer. The number N of stable positions can be induced by a shape anisotropy of the free ferromagnetic region wherein each N stable position has a unique resistance value.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de mémoire à accès aléatoire magnétorésistif à multiples états (7) comprenant une zone ferromagnétique clavetée (19) qui présente un vecteur de moment magnétique (20) fixé dans une direction préférée en l'absence d'application de champ magnétique, une couche d'espacement non ferromagnétique (24) disposée sur la zone ferromagnétique clavetée, et une zone ferromagnétique libre (26) qui a une anisotropie qui donne un vecteur de moment magnétique libre (30) à l'intérieur de la zone ferromagnétique libre avec N positions stables, N étant un nombre entier supérieur à deux, sur la couche d'espacement non ferromagnétique. Le nombre N de positions stables peut résulter d'une anisotropie de forme de la zone ferromagnétique libre, chacune des N positions stables ayant une valeur de résistance unique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)