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1. (WO2004010223) PHOTOSENSITIVE COMPOSITION FOR INTERLAYER DIELECTRIC AND METHOD OF FORMING PATTERNED INTERLAYER DIELECTRIC
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/010223    International Application No.:    PCT/JP2003/006613
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 27.05.2003
IPC:
C08G 77/54 (2006.01), C08G 77/62 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/075 (2006.01)
Applicants: AZ ELECTRONIC MATERIALS (JAPAN) K.K. [JP/JP]; Bunkyo Green Court, 28-8, Honkomagome 2-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0021 (JP) (For All Designated States Except US).
NAGAHARA, Tatsuro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUO, Hideki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAGAHARA, Tatsuro; (JP).
MATSUO, Hideki; (JP)
Agent: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunoichi 3-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Priority Data:
2002-209957 18.07.2002 JP
Title (EN) PHOTOSENSITIVE COMPOSITION FOR INTERLAYER DIELECTRIC AND METHOD OF FORMING PATTERNED INTERLAYER DIELECTRIC
(FR) COMPOSITION PHOTOSENSIBLE POUR UN DIELECTRIQUE INTERCOUCHES ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DIELECTRIQUE INTERCOUCHES A MOTIFS
(JA) 層間絶縁膜用感光性組成物及びパターン化層間絶縁膜の形成方法
Abstract: front page image
(EN)A photosensitive composition which has excellent storage stability and gives an interlayer dielectric having an improved thickness limit. The photosensitive composition is characterized by comprising: a modified polysilsesquiazane which is obtained by replacing up to 50 mol% of basic structural units represented by the general formula -[SiR1(NR2)1.5]- (wherein R1's each independently represents C1-3 alkyl or (un)substituted phenyl; and R2's each independently represents hydrogen, C1-3 alkyl, or (un)substituted phenyl) by connecting groups other than silazane bonds and which has a weight-average molecular weight of 500 to 200,000; and a photo-acid generator.
(FR)L'invention concerne une composition photosensible qui possède une excellente stabilité au stockage et permet de constituer un diélectrique intercouches présentant une meilleure limite d'épaisseur. Cette composition photosensible est caractérisée en ce qu'elle comprend : un composé polysilsesquiazane modifié qui est obtenu par remplacement de jusqu'à 50 % en mole de motifs structuraux de base représentés par la formule générale [SiR1(NR2)1.5] (dans laquelle chaque R1 représente indépendamment un alkyle en C1-3 ou un phényle substitué ou non, et chaque R2 représente indépendamment hydrogène, un alkyle en C1-3 ou un phényle substitué ou non) par des groupes de liaison autres que des liaisons silazane, et qui présente un poids moléculaire moyen en poids compris entre 500 et 200000 ; ainsi qu'un générateur photo-acide
(JA)not available
Designated States: CN, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)