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1. (WO2004010167) HOLOGRAPHIC SURFACE MASK ETCHING AND OPTICAL STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/010167    International Application No.:    PCT/US2003/022608
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 18.07.2003
IPC:
H01L 21/302 (2006.01), G02F 1/13 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, Oakland, CA 94607-5200 (US) (For All Designated States Except US).
FAINMAN, Yeshaiahu [US/US]; (US) (For US Only).
NAKAGAWA, Wataru [US/US]; (US) (For US Only).
CHEN, Chyong-Hua [--/US]; (US) (For US Only).
SUN, Pang-Chen [--/US]; (US) (For US Only).
PANG, Lin [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: FAINMAN, Yeshaiahu; (US).
NAKAGAWA, Wataru; (US).
CHEN, Chyong-Hua; (US).
SUN, Pang-Chen; (US).
PANG, Lin; (US)
Agent: FALLON, Steven, P.; Greer, Burns & Crain, Ltd., 300 S. Wacker Drive, Suite 2500, Chicago, IL 60606 (US)
Priority Data:
60/397,005 18.07.2002 US
60/399,769 31.07.2002 US
Title (EN) HOLOGRAPHIC SURFACE MASK ETCHING AND OPTICAL STRUCTURES
(FR) PROCEDE DE GRAVURE DE MASQUE A SURFACE DEFINIE DE MANIERE HOLOGRAPHIQUE ET STRUCTURES OPTIQUES GRAVEES
Abstract: front page image
(EN)The invention is directed to a method for etching a solid state material to create a surface relief pattern. A resist layer is formed on the surface of the solid state material. The photoresist layer is holographically patterned to form a patterned mask. The pattern is then transferred into the solid state material by a dry etching process. The invention is especially useful for forming optical nanostructures. In preferred embodiments, a direct write process, such as e-beam lithography, is used to define defects and functional elements, such as waveguides and cavities.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure d'un matériau à l'état solide permettant de créer un motif à relief de surface. Une couche de résine photosensible est formée sur la surface du matériau à l'état solide. Cette couche de résine photosensible est structurée de manière holographique afin que soit formé un masque à motif. Le motif est ensuite transféré dans ledit matériau à l'état solide par un procédé de gravure à sec. L'invention s'avère particulièrement utile pour la formation de nanostructures optiques. Dans des modes de réalisation préférés, un procédé d'écriture directe, de type lithographie par faisceau d'électrons, est utilisé pour définir des défauts et des éléments fonctionnels, de type guides d'ondes et cavités.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)