WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2004010152) METHOD OF MAKING MICROELECTRONIC SPRING CONTACT ARRAY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/010152    International Application No.:    PCT/US2003/022274
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 15.07.2003
IPC:
G01R 1/067 (2006.01), G01R 3/00 (2006.01)
Applicants: FORMFACTOR, INC. [US/US]; 2140 Research Drive, Livermore, CA 94550 (US)
Inventors: ELDRIDGE, Benjamin, N.; (US).
MATHIEU, Gaetan, L.; (US).
REYNOLDS, Carl, V.; (US)
Agent: MERKADEAU, Stuart, L.; Formfactor, Inc., 2140 Research Drive, Livermore, CA 94550 (US)
Priority Data:
10/202,712 24.07.2002 US
Title (EN) METHOD OF MAKING MICROELECTRONIC SPRING CONTACT ARRAY
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN GROUPEMENT DE CONTACTS ELASTIQUES MICROELECTRONIQUES
Abstract: front page image
(EN)A method of making a microelectronic spring contact array comprises forming a plurality of spring contacts on a sacrificial substrate and then releasing the spring contacts from the sacrificial substrate. Each of the spring contacts has an elongated beam having a base end. The method of making the array includes attaching the spring contacts at their base ends to a base substrate after they have been released entirely from the sacrificial substrate, so that each contact extends from the base substrate to a distal end of its beams. The distal ends are aligned with a predetermined array of tip positions. In an embodiment of the invention, the spring contacts are formed by patterning contours of the spring contacts in a sacrificial layer on the sacrificial substrate. The walls of patterned recesses in the sacrificial layer define side profiles of the spring contacts, and a conductive material is deposited in the recesses to form the elongated beams of the spring contacts.
(FR)Un procédé de production d'un groupement de contacts élastiques microélectroniques consiste à former une pluralité de contacts élastiques sur un substrat sacrificiel et ensuite à libérer les contacts élastiques du substrat sacrificiel. Chacun des contacts élastiques présente une tige oblongue présentant une extrémité de base. Le procédé de production du groupement consiste à fixer les contacts élastiques au niveau de leurs extrémités de base à un substrat de base, après qu'ils aient été libérés entièrement du substrat sacrificiel, de sorte que chaque contact s'étend à partir du substrat de base jusqu'à une extrémité distale de ses tiges. Les extrémités distales sont alignées avec un groupement prédéterminé de positions d'extrémité. Dans un mode de réalisation de l'invention, les contacts élastiques sont formés par configuration des contours des contacts élastiques dans une couche sacrificielle sur le substrat sacrificiel. Les parois des évidements configurés dans la couche sacrificielle définissent des profils latéraux des contacts élastiques, et un matériau conducteur est déposé dans les évidements pour former les tiges oblongues des contacts élastiques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)