WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2004010121) DETECTION METHOD AND APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/010121    International Application No.:    PCT/GB2003/003022
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 14.07.2003
Chapter 2 Demand Filed:    12.02.2004    
IPC:
G01N 21/64 (2006.01), G01N 21/95 (2006.01)
Applicants: AOTI OPERATING COMPANY, INC [US/US]; Suite 207, 131 NW Hawthorne Avenue, Bend, OR 97701 (US) (For All Designated States Except US).
HIGGS, Victor [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: HIGGS, Victor; (GB)
Agent: NOVAGRAAF PATENTS LIMITED; The Crescent, 54 Blossom Street, York YO24 1AP (GB)
Priority Data:
0216815.1 19.07.2002 GB
Title (EN) DETECTION METHOD AND APPARATUS
(FR) PROCEDE DE DETECTION ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)A method of quality screening silicon germanium epilayers by measuring defects and contamination therein comprises the growing a silicon germanium layer epitaxially, for example by chemical vapour deposition, on a suitable substrate, for example a semiconductor structure such as a silicon wafer; exposing the surface of the silicon germanium layer to at least one high-intensity beam of light from a suitable light source, preferably a laser, and in particular a high-intensity laser, and collecting photoluminescence (PL) produced by excitation of the silicon germanium layer by the light beam; numerically analysing the photoluminescence emitted across the area of the structure; comparing the result with a predetermined acceptable specification range of photoluminescence; making a quality classification of the silicon germanium layer structure based thereon, and in particular rejecting or selecting for remedial action grown silicon germanium layers exhibiting a photoluminescence response outside the said predetermined acceptable specification range. An apparatus for performing the method, and such an apparatus incorporated into a SiGe growth reactor, are also described.
(FR)L'invention concerne un procédé de détection qualitative applicable aux épicouches de silicium-germanium, qui consiste à évaluer les défauts et la contamination de ces couches, selon les étapes suivantes: croissance épitaxiale d'une couche de silicium-germanium, par exemple par dépôt en phase vapeur, sur un substrat approprié, du type structure à semiconducteur (plaquette, etc.); exposition de la surface de cette couche au moins à un faisceau de lumière de haute intensité provenant d'une source lumineuse appropriée, de préférence un laser, et en particulier un laser haute intensité; et collecte de la photoluminescence résultant de l'excitation de ladite couche par le faisceau lumineux; analyse numérique de la photoluminescence émise, sur la structure de la couche considérée; comparaison du résultat avec une gamme de spécification de photoluminescence acceptable préétablie; classification qualitative de la structure de ladite couche en fonction de la comparaison, et en particulier rejet ou sélection pour rectification des couches à réponse de photoluminescence en dehors de la gamme susmentionnée. L'invention concerne également un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé, et elle concerne aussi le dispositif en question incorporé à un réacteur de croissance de SIGe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)