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1. (WO2004008827) ATOMIC LAYER DEPOSITION OF HIGH K DIELECTRIC FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/008827    International Application No.:    PCT/US2003/022712
Publication Date: 29.01.2004 International Filing Date: 21.07.2003
IPC:
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: AVIZA TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 440 Kings Village Road, Scotts Valley, CA 95066 (US) (For All Designated States Except US).
LEE, Sang-In [KR/US]; (US) (For US Only).
SENZAKI, Yoshihide [JP/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LEE, Sang-In; (US).
SENZAKI, Yoshihide; (US)
Agent: SWIATEK, Maria, S.; DORSEY & WHITNEY LLP, 4 Embarcadero Center, Suite 3400, San Francisco, CA 94111 (US)
Priority Data:
60/396,723 19.07.2002 US
60/396,745 19.07.2002 US
Title (EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION OF HIGH K DIELECTRIC FILMS
(FR) DEPOT EN COUCHES ATOMIQUES DE FILMS DIELECTRIQUES A K ELEVEE
Abstract: front page image
(EN)A method of processing a semiconductor substrate includes reacting in a reactor a first reactant gas, evacuating the first reactant gas from the reactor, reacting a second reactant gas, and evacuating the second reactant gas. The reacting of the first reactant gas reacts the first reactant gas with an exposed surface of the semiconductor substrate in a reactor to convert the exposed surface into a solid mono-layer. The reacting of the second reactant gas reacts the second reactant gas with the solid mono-layer in the reactor to convert the solid mono-layer into a gaseous compound. The evacuating of the second reactant gas also evacuates the gaseous compound from the reactor.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour traiter un substrat semi-conducteur, comprenant la réaction dans un réacteur avec un premier gaz réactif, l'évacuation du premier gaz réactif du réacteur, la réaction avec un second gaz réactif, et l'évacuation du second gaz réactif. Le premier gaz réactif réagit avec une surface exposée du substrat semi-conducteur dans le réacteur pour convertir la surface exposée en une monocouche solide. Le second gaz réactif réagit avec la monocouche solide dans le réacteur pour convertir la monocouche solide en un composé gazeux. L'évacuation du second gaz réactif s'accompagne de l'évacuation du composé gazeux du réacteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)