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1. (WO2004008601) METHOD AND CIRCUIT FOR LIMITING AN OVERVOLTAGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/008601    International Application No.:    PCT/EP2003/006700
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 25.06.2003
IPC:
H02H 7/08 (2006.01), H02H 9/04 (2006.01), H02M 1/00 (2007.01), H02M 1/088 (2006.01), H03K 17/082 (2006.01)
Applicants: EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH [DE/DE]; Max-Planck-Strasse 5, 59581 Warstein (DE) (For All Designated States Except US).
MÜNZER, Mark [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BAYERER, Reinhold [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KANSCHAT, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: MÜNZER, Mark; (DE).
BAYERER, Reinhold; (DE).
KANSCHAT, Peter; (DE)
Agent: SCHMUCKERMAIER, Bernhard; Westphal, Mussgnug & Partner, Mozartstrasse 8, 80336 München (DE)
Priority Data:
102 31 198.6 10.07.2002 DE
Title (DE) VERFAHREN UND SCHALTUNGSANORDNUNG ZUM BERGRENZEN EINER ÜBERSPANNUNG
(EN) METHOD AND CIRCUIT FOR LIMITING AN OVERVOLTAGE
(FR) PROCEDE ET ENSEMBLE CIRCUIT POUR LIMITER UNE SURTENSION
Abstract: front page image
(DE)Zum Begrenzen einer Überspannung an einer Parallelschaltung von IGBT (3) und Freilaufdiode (7) wird eine unerwünschte Stromspitze dazu verwendet, den an sich gesperrten IGBT (3') während des Anstehens der Stromspitze gerade so weit einzuschalten, dass ein der Überspannung entgegen wirkender Strom im IGBT-Freilaufdioden-Paar entsteht. Der entgegengesetzt wirkende Strom reduziert die Stromsteilheit in Streuinduktivitäten (L&sgr;) und reduziert die unerwünschten, induzierten Überspannungen.
(EN)The aim of the invention is to limit an overvoltage on a parallel circuit of an IGBT (3) and a freewheeling diode(7). To this end, an undesired current spike is used to switch on the IGBT (3') blocked per se, during the presence of the current spike, such that a current acting against the overvoltage is produced in the IGBT-freewheeling diode pair. The current acting in an opposing manner reduces the current rate of rise in leakage inductances (LS), and reduces the undesired induced overvoltages.
(FR)L'objectif de l'invention est de limiter une surtension au niveau d'un circuit dans lequel sont montés en parallèle un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) (3) et une iode de roue libre (7). A cet effet, on utilise, selon l'invention, un pic de courant indésirable pour mettre en circuit l'IGBT (3') bloqué, pendant l'apparition du pic de courant, juste de façon à permettre la création d'un courant agissant à l'encontre de la surtension dans l'ensemble IGBT-diode de roue libre. Ledit courant, agissant à l'encontre de la surtension, réduit la vitesse de croissance du courant dans les inductances de fuite (LS) et réduit les surtensions induites, indésirables.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)