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1. (WO2004008529) TRENCH SCHOTTKY BARRIER DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/008529    International Application No.:    PCT/US2003/021009
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 02.07.2003
IPC:
H01L 27/08 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street, El Segundo, CA 90245 (US)
Inventors: ANDOH, Kohji; (US).
CHIOLA, Davide; (US)
Agent: MOSKOWITZ, Max; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP, 1180 Avenue of the Americas, New York, NY 10036 (US)
Priority Data:
10/193,783 11.07.2002 US
Title (EN) TRENCH SCHOTTKY BARRIER DIODE
(FR) DIODE A BARRIERE DE SCHOTTKY A TRANCHEES
Abstract: front page image
(EN)A fabrication process for a Schottky barrier structure includes forming anitride layer directly on a surface of an epitaxial ('epi') layer and subsequently forming a plurality of trenches in the epi layer. The interior walls of the trenches are then deposited with a final oxide layer without forming a sacrificial oxide layer to avoid formation of a beak bird at the tops of the interior trench walls. A termination trench is etched in the same process step for forming the plurality of trenches in the active area.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'une structure à barrière de Schottky consistant à former une couche de nitrure directement sur une surface d'une couche épitaxiale puis à former une pluralité de tranchées dans la couche épitaxiale. On enduit ensuite les parois intérieures des tranchées d'une couche d'oxyde finale sans former de couche d'oxyde sacrificielle afin d'éviter que des becs d'oiseau ne se forment sur les parties supérieures des parois des tranchées intérieures. Une tranchée d'extrémité est gravée au moyen du même procédé que celui employé pour former la pluralité de tranchées dans la zone active.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)