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1. (WO2004008528) METHOD AND WAFER FOR MAINTAINING ULTRA CLEAN BONDING PADS ON A WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/008528    International Application No.:    PCT/SG2003/000161
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 09.07.2003
Chapter 2 Demand Filed:    09.02.2004    
IPC:
H01L 21/68 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Applicants: KETECA SINGAPORE (PTE) LTD [SG/SG]; 35 Tannery Road, #07-06,, Ruby Industrial Complex (Tannery Block), Singapore 347740 (SG)
Inventors: RUNYON, Robert, Carrol; (US).
HOR, Che, Kiong; (MY)
Agent: ELLA CHEONG MIRANDAH & SPRUSONS PTE LTD; Robinson Road Post Office, P.O. Box 1531, Singapore 903031 (SG)
Priority Data:
10/193,842 12.07.2002 US
Title (EN) METHOD AND WAFER FOR MAINTAINING ULTRA CLEAN BONDING PADS ON A WAFER
(FR) PROCEDE ET TRANCHE PERMETTANT DE MAINTENIR DES PLAGES DE CONNEXION ULTRA-PROPRES SUR UNE TRANCHE
Abstract: front page image
(EN)The present invention teaches a sawn wafer with ultra clean bonding pads on die which enhance the strength of wire bond and results in higher yield and improved reliability of packaged semiconductor die. Clean wafers ready for dicing are coated with a removable insulating water soluble non-ionic film which enhances clean saw cuts and reduces buildup. The protective film is hardened by heat and resists removal by cooling water used in dicing saws. However, after dicing the protective film is removable in a wafer washer using high pressure warm D.I. water. After removal of the protective film the electrode pads are virtually as clean as before dicing. The film may be used as a protective layer until the sawn wafer is ready for use.
(FR)L'invention concerne une tranche sciée à plages de connexion ultra propres sur un dé, ce qui permet d'améliorer la résistance d'une connexion par fils, d'augmenter le rendement et d'obtenir un dé de semi-conducteur dans son boîtier plus fiable. Des tranches de nettoyage prêtes à être coupées en dés sont recouvertes d'un film ionique d'isolation amovible soluble dans l'eau, ce qui permet d'améliorer les découpes propres à la scie et de réduire leur accumulation. Le film protecteur est thermo-durci et résiste à son retrait par refroidissement de l'eau utilisée dans les scies de découpage en dés. Toutefois, après découpage en dés, le film protecteur est retiré dans un bac de lavage de tranche à l'aide d'eau chaude déionisée sous pression élevée. Une fois le film protecteur retiré, les plages de connexion d'électrode sont virtuellement aussi propres qu'avant le découpage en dés. Le film peut être utilisé comme couche protectrice jusqu'à ce que la tranche sciée soit prête à l'emploi.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)