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1. (WO2004008526) A LAYER TRANSFER METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/008526    International Application No.:    PCT/EP2003/007853
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 16.07.2003
Chapter 2 Demand Filed:    03.02.2004    
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (For All Designated States Except US).
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33 rue de la Fédération, F-75752 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
ASPAR, Bernard [FR/FR]; (FR) (For US Only).
BRESSOT, Séverine [FR/FR]; (FR) (For US Only).
RAYSSAC, Olivier [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: ASPAR, Bernard; (FR).
BRESSOT, Séverine; (FR).
RAYSSAC, Olivier; (FR)
Agent: CABINET REGIMBEAU; Espace Performance, Bâtiment K, F-35769 Saint-Grégoire Cedex (FR)
Priority Data:
02/09018 17.07.2002 FR
Title (EN) A LAYER TRANSFER METHOD
(FR) PROCEDE DE TRANSFERT DE COUCHE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a method for transferring a layer of material (41) deriving from a source substrate (4) onto a support substrate (5), comprising at least the steps consisting in : depositing additional material (6) on at least one of the front faces of the source substrate (4) and the support substrate (5) and applying said two substrates (4, 5) against each other; then detaching said layer to be transferred (41) from the source substrate (4) along a zone of weakness (43) by applying a stress of mechanical origin. This method is remarkable in that prior to the step of depositing the material (6), at least one recess (56) for receiving excess additional material (6) is formed in at least one of the two substrates (4, 5), said recess opening onto the front face of said substrate. Application to the fabrication of a composite substrate in the fields of electronics, optoelectronics and optics.
(FR)La présente invention a trait à un procédé permettant le transfert d'une couche de matériau (41) en provenance d'un substrat source (4) vers un substrat support (5), comportant au moins des étapes suivantes : le dépôt de matériau additionnel (6) sur au moins une des faces avant du substrat source (4) et du substrat support (5) et l'application desdits deux substrats (4, 5) l'un contre l'autre ; le retrait de ladite couche à transférer (41) du substrat source (4) le long d'une zone de fragilisation (43) par l'application d'une contrainte d'origine mécanique. Ce procédé est caractérisé en ce que préalablement à l'étape de dépôt du matériau (6), on forme au moins un évidement (56) pour la réception du matériau additionnel (6) dans au moins un des deux substrats (4, 5), ledit évidement émergeant dans la face avant dudit substrat. L'invention est applicable à la fabrication d'un substrat dans les domaines de l'électronique, de l'optoélectronique et de l'optique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)